NCE3415 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

NCE3415

商品编码: BM0219285141
品牌 : 
NCE(新洁能)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.4W 20V 4A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
8096(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.16
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.16
--
200+
¥0.158
--
3000+
¥0.155
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCE3415参数

功率(Pd)1.4W反向传输电容(Crss@Vds)120pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)45mΩ@4.5V,4A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)12nC@10V
漏源电压(Vdss)20V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)950pF@10V连续漏极电流(Id)4A
阈值电压(Vgs(th)@Id)350mV@4A

NCE3415手册

NCE3415概述

NCE3415产品概述

一、产品简介

NCE3415是一款高效的P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具有额定功率1.4W、额定电压20V和额定电流4A的特性。该器件采用SOT-23小型封装,可以满足多种电子应用需求,尤其适合低压和小体积的电路设计。NCE(新洁能)作为该产品的品牌,以其高性能和可靠性著称,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。

二、技术参数

  1. 器件类型: P沟道MOSFET
  2. 封装形式: SOT-23
  3. 最大功率: 1.4W
  4. 最大漏源电压: 20V
  5. 最大连续漏电流: 4A
  6. 门极阈值电压: 通常为-2V到-4V,具体值会根据批次有所不同。
  7. 导通电阻(Rds(on): 较低的导通电阻保证了器件在工作时的能量损失最低,提升了整体电路的效率。

三、产品特点

  1. 高效能: NCE3415的低导通电阻使其在如开关电源等高频应用中表现出色,有效降低了功耗和发热量。

  2. 小型封装: SOT-23封装极大地节省了电路板空间,适合体积小、有空间限制的应用。

  3. 易于控制: P沟道结构使得NCE3415在负载切换时具有较好的控制特性,适合用于各种开关电路。

  4. 兼容性强: 该器件可与多种逻辑电平一起工作,支持多种驱动电压,使其在设计中具备很强的灵活性。

四、应用场景

NCE3415广泛应用于以下几个领域:

  1. 开关电源: 作为主要开关元件使用,通过高频率的通断,提供稳定的输出电压和电流。

  2. 电动玩具和家电: 在电动玩具和家电中,NCE3415可以用于电机控制和负载切换。

  3. 汽车电子: 适合用于汽车控制电路中,如电源管理、照明控制等。

  4. 便携式设备: 由于其小型化的特性,适合作为便携式设备(如移动电源、智能手机等)的电源管理器件。

  5. LED驱动: 可在LED驱动电路中作为开关元件,确保稳定的亮度输出。

五、使用注意事项

在使用NCE3415时,需要注意以下几点:

  1. 正确的电压和电流范围: 确保在器件的额定范围内工作,避免超出20V的漏源电压或4A的漏电流,以防损坏器件。

  2. 散热管理: 尽管SOT-23封装具有良好的性能,但在高负载条件下仍需考虑适当的散热措施,以确保器件的长期稳定运行。

  3. 门极驱动设计: 选择合适的门极驱动电路,以确保MOSFET在开关时能够快速、完全导通,减小开关损耗。

  4. 电路设计考虑: 在设计电路时,应充分考虑引入的EMI和RFI问题,并进行必要的滤波和隔离设计。

六、总结

NCE3415是一款性能优良、应用广泛的P沟道MOSFET。其高效能、低功耗及小型封装的特点使其成为现代电子设计中的理想选择。无论是在开关电源还是在汽车电子、便携式设备等领域,NCE3415都能提供出色的性能表现。通过合理的驱动和散热设计,该MOSFET能够在各种应用场景中可靠运行,满足设计师对高效、安全、紧凑型电路的需求。