NCE30P15S 产品实物图片
NCE30P15S 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NCE30P15S

商品编码: BM0219284360
品牌 : 
NCE(新洁能)
封装 : 
SOP-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 15A 1个P沟道 SOIC-8
库存 :
3850(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
1.39
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.39
--
100+
¥0.7668
--
1000+
¥0.7597
--
2000+
¥0.7526
--
24000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCE30P15S参数

功率(Pd)3.1W商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)12mΩ@10V,15A漏源电压(Vdss)30V
类型1个P沟道连续漏极电流(Id)15A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.2V@250uA

NCE30P15S手册

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NCE30P15S概述

产品概述:NCE30P15S P沟道MOSFET

一、产品简介

NCE30P15S是一款高性能P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其额定功率为3.1W,最大工作电压为30V,持续电流可达15A。这款MOSFET采用SOP-8封装,是NCE(新洁能)出品的高效能产品,广泛应用于各种电子电路中。NCE30P15S的设计旨在提供高效的电流控制和开关切换能力,适合各种汽车、工业、消费类电子产品及电源管理系统。

二、主要规格

  • 类型:P沟道MOSFET
  • 最大漏极-源极电压(VDS):-30V
  • 最大通道电流(ID):-15A
  • 功耗:3.1W
  • 封装:SOIC-8
  • 工作温度范围:-55℃至+150℃

三、产品特性

  1. 高功率密度:NCE30P15S以其3.1W的功耗结合30V的高电压能力,提供了卓越的功率管理性能,使其在高负载应用中表现优异。

  2. 快速开关能力:P沟道MOSFET在开关切换中显示出较低的开关损耗,这使得NCE30P15S非常适用于高频开关电源和高效能的电源管理电路。

  3. 高温性能:该器件可在-55℃至+150℃的宽温度范围内工作,这意味着它可以在严苛的环境条件下保持稳定的性能。

  4. 低导通电阻:NCE30P15S具有较低的导通电阻(RDS(on)),从而降低了在导通状态下的功耗和发热,提升了系统的整体效率。

  5. 坚固可靠的封装:SOP-8封装不仅便于PCB的布置,还提供良好的散热性能,适合高密度电路设计。

四、应用领域

NCE30P15S作为一款高性能的P沟道MOSFET,可广泛应用于以下领域:

  1. 电源管理:广泛用于开关电源、DC-DC转换器和电压稳定电路。

  2. 汽车电子:在汽车电源系统中,NCE30P15S可被用于电动机驱动、LED驱动、过热保护等应用。

  3. 消费电子:如计算机电源适配器、智能手机充电器等设备中,能够高效转换和管理电源。

  4. 工业自动化:在工控系统中,NCE30P15S可以用作负载开关和信号放大器,提供可靠的控制。

五、应用示例

在使用NCE30P15S时,设计者需要对其进行合理的电路设计,以确保其性能最大化。以下是一个典型的应用电路示例:

  • 开关电源设计:NCE30P15S可被用于PWM控制的开关电源设计中,通过调节PWM信号的占空比,以控制输出电压的稳定性和效率。

  • 驱动电路:在驱动直流电机或步进电机时,NCE30P15S可以作为功率开关,接收控制信号以调节电机的运转状态。

六、总结

NCE30P15S是新洁能推出的一款高性能P沟道MOSFET,凭借其优异的电气特性和可靠的长期性能,成为了电子设计师青睐的选择。无论是为高效的电源管理,还是在高温、严苛的环境条件下工作,NCE30P15S都展现出极好的适用性与可靠性。随着对高能效电源以及智能电子设备需求的不断增长,NCE30P15S将继续为未来的创新设计提供稳定、可靠的支持。