驱动配置 | 高端 | 通道类型 | 单路 |
驱动器数 | 1 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,2.5V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 4A,4A | 输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V | 上升/下降时间(典型值) | 25ns,15ns |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
FAN73711MX 是一款高性能的栅极驱动集成电路 (IC),主要采用 SOIC-8 封装,由安森美半导体 (ON Semiconductor) 生产。此款栅极驱动 IC 设计用于驱动 IGBT 和 N 沟道 MOSFET,具有单路输出配置,适用于需要高效能的功率管理应用。凭借其广泛的电压范围和强大的驱动能力,FAN73711MX 是现代电源管理和电机控制系统中的理想选择。
驱动配置:FAN73711MX 为高端驱动类型,专为要求快速开关性能和高驱动电流的应用而设计。
工作电压:该 IC 的供电电压范围为 10V 至 20V,确保设备能够在多种应用中的稳定工作。
逻辑电压范围:输入逻辑电压的最高电平 (VIH) 为 2.5V,而最低电平 (VIL) 为 0.8V,这确保了与大多数数字电路的兼容性。
输出电流:设计峰值输出电流达 4A,能够为负载提供强大的驱动能力,特别适合高频率的开关应用。
速度特性:上升时间通常为 25ns,下降时间为 15ns,表明该 IC 在快速开关操作中表现出色,有助于提高整体系统的效率。
高压保护:FAN73711MX 能够承受高达 600V 的最大高压侧电压(自举),使其适用于高压环境,如变频器和 PWM 控制器。
工作温度范围:与许多严苛环境兼容的工作温度范围为 -55°C 至 150°C (TJ),使得该 IC 在极端条件下也能正常工作,适合航空航天、汽车及工业应用。
封装与安装:采用表面贴装型 (SMD) 的 SOIC-8 封装,便于自动化生产线的安装,并节省空间。
FAN73711MX 的设计使其适合多种应用,包括但不限于:
FAN73711MX 是一款卓越的高端栅极驱动 IC,针对现代电子应用而设计,凭借其优异的性能参数、宽泛的应用范围以及可靠的工作条件,为设计工程师提供了极大的灵活性和高效性。在选择合适的栅极驱动 IC 时,FAN73711MX 的性能无疑会为各种高功率和高频应用提供重要支持。无论是在工业电源、汽车电子,还是在其他高科技领域,FAN73711MX 都是一个值得信赖的解决方案。