CSD18534Q5A
CSD18534Q5A参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.8 毫欧 @ 14A，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Ta），50A（Tc） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1770pF @ 30V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta），77W（Tc） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
CSD18534Q5A手册
CSD18534Q5A概述
CSD18534Q5A 产品概述
概述
CSD18534Q5A 是德州仪器 (TI) 提供的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 8-VSONP（5x6mm）封装，专为续航性能要求高的电源管理应用而设计。这款器件能够在严酷的工作环境中提供卓越的导通性能及热管理能力，广泛适用于电源转换、负载开关、电机驱动等应用场景。
主要特性
优异的导通性能：该 MOSFET 在 10V 的驱动电压下，其导通电阻 Rds(on) 最大值仅为 9.8 毫欧，连续漏极电流可达到 13A（环境温度情况下），在提升散热条件下（Tc = 25°C），其最大漏极电流可达 50A，确保在高负载条件下的稳定运行。
宽广的工作温度范围：器件具有 -55°C 至 150°C 的工作温度范围，适用于高温或极端环境中的各类电子应用，确保其可靠性与稳定性。
高漏源电压：CSD18534Q5A 的漏源电压（Vdss）为 60V，适合用于中高压应用，适应性强。
低输入电容与栅极电荷：器件在 30V 时的输入电容 (Ciss) 最大值为 1770pF，栅极电荷 (Qg) 最大值为 22nC（在 10V 驱动下），这些参数使得 MOSFET 拥有良好的开关速度和驱动效率，降低开关损耗。
可靠的栅极阈值电压：不同 Id 条件下的栅极阈值电压 Vgs(th) 最大值为 2.3V（在 250µA 流量下），提供了良好的开关特性和灵敏度。
封装与安装：采用表面贴装型（SMD）封装设计，使得 CSD18534Q5A 易于在现代高密度电路板上进行集成，降低了空间占用，同时提升了散热性能。
应用领域
CSD18534Q5A 可广泛应用于多种电子产品和设备，包括：
- DC-DC 转换器：用于高效转换电源，增强电源管理能力，提高整体效率。
- 负载开关：可用于控制电流流向，同时在较低 Rds(on) 条件下使消耗降至最低。
- 电机驱动：在各种电机驱动应用中，通过高压高流率下的高性能使得电机运行更加平稳。
- 高效能电源模块：适合用于需要高功率和高效率的电源模块，以满足现代电子设备在功率密度、体积和性能方面的日益增长的要求。
结论
总之，CSD18534Q5A 是一款具备高性能、高可靠性及广泛适用性的 N 沟道 MOSFET。其优异的导通性能、宽温范围、高电压能力和低损耗特性使其成为各类应用中的理想选择。无论是在电源管理、智能家居、电动交通工具还是工业自动化等领域，CSD18534Q5A 都能够提供强大的支持，推动电子技术的不断创新和发展。伴随技术的进步，这款器件将进一步推动行业在效率与性能上的提升，为客户创造更多价值。