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IXTP3N120
品牌 :
IXYS
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
通孔-N-通道-1200V-3A（Tc）-200W（Tc）-TO-220AB
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
21.61按整 :
管(1管有50个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥21.61
--
50+
￥18
--
1000+
产品参数
产品手册
产品概述
IXTP3N120参数
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 漏源电压（Vdss） | 1200V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 42nC @ 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1350pF @ 25V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 安装类型 | 通孔 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Tc） | 功率耗散（最大值） | 200W（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
IXTP3N120手册
无数据
IXTP3N120概述
IXTP3N120 产品概述
概述
IXTP3N120 是 IXYS 公司推出的一款高性能 N 通道 MOSFET，具有出色的电流承载能力和高电压耐受能力。这款器件的设计适用于各种需要高效率、高可靠性和高功率密度的电子应用。IXTP3N120 采用 TO-220AB 封装，适合于通孔安装，便于电路板的设计与集成。
基础参数
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C
- 漏源电压 (Vdss)：1200V
- 连续漏极电流 (Id)：3A（在热管理得当的情况下）
- 功率耗散 (Pd)：最大 200W（在相应的散热条件下）
- 栅极电压 (Vgs)：最大 ±20V
- 导通电阻 (Rds On)：最大 4.5Ω（在 10V、500mA 条件下）
- 栅极电荷 (Qg)：最大 42nC（在 10V 条件下）
- 输入电容 (Ciss)：最大 1350pF（在 25V 条件下）
- 阈值电压 (Vgs(th))：最大 5V（在 250µA 条件下）
技术特点
IXTP3N120 的 N 通道结构使其能够在高负载条件下保持较高的效率，其高达 1200V 的漏源电压使其适用于高压应用场景。这款 MOSFET 的导通电阻和栅极电荷参数显示了其在快速开关和低漏电流情况下的优越性能。
该器件的工作温度范围宽泛，能够在极端环境下可靠工作，适用于工业控制、开关电源、逆变器、高压电源等领域。特别是在热管理得当的情况下，IXTP3N120 可持续提供 3A 的电流，这使其成为需要高电流密度和高功率管理的电源管理应用的理想选择。
应用场景
IXTP3N120 的应用领域广泛，包括但不限于：
- 开关电源 (SMPS)：作为主要的开关元件，能够实现高效能的功率转换。
- 电机驱动器：在驱动大功率电机时具有出色的响应速度和稳定性。
- 逆变器：在可再生能源系统（如太阳能逆变器和风能逆变器）中提供高效的功率转换。
- DC-DC 转换器：适用于高电流和高压传输场景，以实现高能效。
散热与封装
IXTP3N120 采用 TO-220AB 封装，具备良好的散热特性，用户应在实际应用中合理设计散热方案，确保器件在工作期间保持在安全温度范围内。MOSFET 的功率耗散能力高达 200W，使其在合适的散热条件下能够承载更高的负载。
结论
IXTP3N120 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET，具有优越的电气特性和广泛的应用潜力。其设计旨在满足现代电子设备对功率管理和热性能的高要求，是电源管理、工业控制以及其他高功率应用中不可或缺的组成部分。对于开发高效能和高稳定性的电力电子系统，IXTP3N120 提供了坚实的基础和支持。