功率(Pd) | 29W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 6pF@50V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 44mΩ@10V,12A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 漏源电压(Vdss) | 100V |
类型 | 1个N沟道 | 输入电容(Ciss@Vds) | 640pF@50V |
连续漏极电流(Id) | 18A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.5V@12uA |
产品概述
BSZ440N10NS3G 是一款高性能的 N 型场效应管(MOSFET),由知名半导体制造商英飞凌(Infineon)生产。这款 MOSFET 具备优异的电气性能和热特性,非常适合应用于电源管理、开关电源、DC-DC 转换和其他高效能开关应用场景。BSZ440N10NS3G 具有高达 29W 的功率处理能力,最大工作电压可达 100V,并能提供高达 5.3A 的连续电流输出,使其成为多种电子设备中理想的解决方案。
主要参数
产品特性
高效能: BSZ440N10NS3G 的低导通电阻(Rds(on))特性确保了在开关操作下能显著降低功耗,从而提高电源转换效率。这使得其在效率至关重要的应用中表现优异。
优越的热管理: 这款 MOSFET 支持较高的散热性能,尤其适合在高功耗和高密度的环境中使用。其封装类型为 TSDSON-8,具有良好的热导性能,有助于降温和确保元件稳定工作。
高频率性能: BSZ440N10NS3G 的开关速度较快,适合高频转换和快速切换应用。在现代开关电源和逆变器设计中,这一特性使得该 MOSFET 成为首选元件之一。
全面的保护功能: IC 设计中的保护特性包括过热保护和短路保护功能,使得系统在恶劣工作条件下仍然保持稳定和安全运行,增加了系统的可靠性。
应用领域
BSZ440N10NS3G 被广泛应用于多种电子产品和系统中,尤其在以下领域中表现突出:
开关电源: 由于其高效能和热管理特性,BSZ440N10NS3G 非常适合用于开关电源单元(SMPS),可用于充电器、适配器等。
DC-DC 转换器: 在电源转换和信号调节应用中,这款 MOSFET 的快速切换能力使其非常受欢迎,尤其用于 Buck 和 Boost 转换器。
电动汽车和混合动力车: 由于其稳定的工作性能和高效率,BSZ440N10NS3G 可在电动汽车的电力电子模块中应用,支持电动驱动系统的高效能转换。
工业控制及自动化: 在现代工业系统中,对能源效率和系统可靠性的需求日益增加,BSZ440N10NS3G 作为控制电路中的开关元件,在多个工业应用中发挥着重要作用。
总结
BSZ440N10NS3G 是一款集成了高效率、优秀热管理、快速开关性能及高可靠性的 N 沟道 MOSFET,适用于多种高效能电源和开关应用。其高达 100V 的额定电压与 5.3A 的电流处理能力,结合 TSDSON-8 封装设计,确保了其在严苛环境下的稳定性与高效性。无论是在消费电子、汽车电子,还是工业自动化领域,这款 MOSFET 都能提供理想的解决方案。选择 BSZ440N10NS3G,将有助于优化电源设计,提升整体系统性能与可靠性。