IRFS4227TRLPBF
IRFS4227TRLPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 62A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 26 毫欧 @ 46A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 98nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4600pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 330W（Tc） | 工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
IRFS4227TRLPBF手册
IRFS4227TRLPBF概述
IRFS4227TRLPBF 产品概述
产品概述
IRFS4227TRLPBF 是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能 N 通道 MOSFET，具有卓越的电气特性和广泛的应用领域。该器件的关键参数包括漏源电压（Vdss）为200V，连续漏极电流（Id）可达62A，以及最大功率耗散能力为330W。这些特性使得 IRFS4227TRLPBF 适用于高电压和高电流的场合，特别是在开关电源、DC-DC 转换器以及电动汽车驱动系统等领域中展现出良好的性能。
电气特性
漏源电压（Vdss）:
IRFS4227TRLPBF 的漏源电压为200V，这使其能够处理高电压应用或者用于高电压电源转换设计。这一参数确保了该器件在过载和瞬态情况下的可靠操作，从而提升了系统的安全性和稳定性。
连续漏极电流（Id）:
在25°C的温度下，IRFS4227TRLPBF能够提供最高62A的连续漏极电流，这使得其非常适合大功率输出的应用，如逆变器和高性能电源模块。因其优秀的导通特性，该器件有效降低了导通损耗，从而提高了能效。
导通电阻（Rds(on)）:
在10V的驱动电压下，IRFS4227TRLPBF的最大导通电阻Rds(on)为26毫欧（@46A），极低的导通电阻意味着在工作期间能量损耗最小化，这对于提升系统效率至关重要。
栅极电压特性:
IRFS4227TRLPBF的最大门源电压（Vgs）为±30V，确保在各种驱动条件下的稳定性能。同时，其阈值电压（Vgs(th)）的最大值为5V@250µA，意味着只需较小的门电压即可将 MOSFET 从关闭状态切换到导通状态，降低了控制电路的设计复杂性和功耗。
输入电容（Ciss）与栅极电荷:
在25V的输入电压下，该器件的输入电容（Ciss）为4600pF，而在10V时的栅极电荷（Qg）最大为98nC。这些参数使得 IRFS4227TRLPBF 在工作频率较高的应用中保持良好响应速度，减小开关损耗，提升整体效率。
存储和工作环境
IRFS4227TRLPBF 可以在-40°C至175°C的广泛温度范围内工作，具备良好的耐温特性，适合于多种严格环境下的应用。此外，其封装形式为 D2PAK（TO-263-3 封装），支持表面贴装，便于在现代高密度电路板设计中的安装与集成。
应用领域
IRFS4227TRLPBF 的特性使其适用于多个领域：
- 电源管理: 包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电池管理系统。
- 电动汽车: 用于电动汽车的驱动电路以及相关的高效能功率转换设计。
- 工业应用: 在工业自动化和控制系统中用于驱动电机和负载。
- 再生能源: 在太阳能逆变器和风能转换系统中也显示出其优势。
总结
综合来看，IRFS4227TRLPBF 是一款设计优良、性能卓越的 N 通道 MOSFET，适合于高电压和高功率的应用场景。其低导通电阻、快速开关特性以及宽温度范围使得该器件成为现代电源和驱动系统中的理想选择。无论是在高要求的电动汽车，还是在工业电源领域，IRFS4227TRLPBF 都能够提供可靠且高效的解决方案。