IPW60R037CSFD 产品实物图片
IPW60R037CSFD 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IPW60R037CSFD

商品编码: BM0218903776
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-247-3
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 245W 650V 54A 1个N沟道 TO-247-3
库存 :
240(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
21.92
按整 :
管(1管有240个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥21.92
--
10+
¥18.9
--
240+
¥18
--
4800+
产品参数
产品手册
产品概述

IPW60R037CSFD参数

功率(Pd)245W反向传输电容(Crss@Vds)47pF@400V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)37mΩ@10V,32.6A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)136nC@10V
漏源电压(Vdss)600V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)5.623nF@400V连续漏极电流(Id)34A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3.5V@1.63mA

IPW60R037CSFD手册

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IPW60R037CSFD概述

产品概述:IPW60R037CSFD

一、基本信息

产品类型:场效应管(MOSFET)
功率:245W
电压:650V
电流:54A
沟道类型:N沟道
封装:TO-247-3
品牌:Infineon(英飞凌)

二、产品背景

MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)作为一种重要的电子元器件,广泛应用于功率转换、开关电源以及驱动电路等领域。本产品IPW60R037CSFD是由知名半导体制造商英飞凌出品,旨在满足高效率、高可靠性的电源管理需求。

三、技术参数

  • 耗散功率高达:245W,使其在高功率应用中表现出色,能够承受较大的功率负载。
  • 最大源漏电压:650V,提高了产品的适应性,适合用于高压电路设计。
  • 最大漏电流:54A,保证在工作状态下能够稳定输出大电流,适合多个应用场景。
  • N沟道结构:N沟道MOSFET通常具有较低的导通电阻和更好的开关性能,适合用于高频、高开关速度的应用。

四、关键特性

  1. 低导通电阻:IPW60R037CSFD拥有极低的RDS(on),有效降低功耗,提升整体能源效率。这使得其在高频开关电路中表现优异。

  2. 优秀的热性能:采用TO-247-3封装设计,有效提升散热性能,延长器件的使用寿命,适合在恶劣环境下运行。

  3. 高速度开关能力:该MOSFET具备较快的开关响应时间,适用于需要快速开关的应用场景,如开关电源和电动机驱动。

  4. 耐高温表现:能够承受高温环境,适合在苛刻的工作条件下使用,确保设备的稳定性。

五、应用领域

IPW60R037CSFD因为其高功率、高电压及良好的热特性,主要应用于以下领域:

  1. 开关电源(SMPS):用于AC-DC和DC-DC转换器,尤其是在电力电子变换中表现突出。

  2. 工业控制:在各种工业控制器和电机驱动器中,提供稳定可靠的电流控制和开关操作。

  3. 汽车电子:在电动汽车及混合动力汽车中的电池管理系统、电机控制器等应用中,提供高效的电源管理。

  4. 可再生能源:在太阳能逆变器和风能发电系统中,提供高效的功率转换解决方案。

六、总结

IPW60R037CSFD是一款具备高功率、高电压和高效能的N沟道MOSFET,凭借其出色的导通电阻和热性能,成为电源管理和开关控制领域的重要选择。无论是工业应用、汽车电子还是可再生能源产品,英飞凌的这一型号都能提供可靠的性能,助力客户实现高效的电源管理方案。