功率(Pd) | 85W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 23pF@30V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4mΩ@10V,80A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 67nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 60V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 4nF@30V | 连续漏极电流(Id) | 80A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.4V@250uA |
NCEP6080AG是由新洁能(NCE)公司推出的一款高效能N沟道场效应管(MOSFET)。该器件在性能方面表现卓越,适用于多种高功率电子应用。其主要特性包括85W的最大功率处理能力、60V的额定电压和80A的额定电流,使其在各种严苛工作条件下依然能够保持稳定的性能。
NCEP6080AG采用DFN-8封装,尺寸为4.9mm x 5.8mm。这种小型化的封装设计具有良好的散热性能和紧凑的布局,适合高密度电路板的应用。DFN封装的平面设计降低了引脚电感,并有助于提高开关速度,从而提升整体电路性能。
NCEP6080AG广泛应用于各类电子设备中,以下是一些主要应用领域:
作为新洁能推出的高性能N沟道MOSFET,NCEP6080AG凭借其优秀的电气特性和小巧的封装形式,成为许多高功率应用中的理想选择。无论在电源设计、电机控制还是其他需要高效能的电子设备中,NCEP6080AG都展现出强大的竞争力。选择NCEP6080AG可以帮助工程师和设计师实现更高效的电路设计,并满足现代电子设备对功率、体积及散热性能的严苛要求。