US6M1TR

产品概述：US6M1TR - ROHM 1W N/P沟道MOSFET

一、产品简介

US6M1TR是ROHM公司推出的一款高性能场效应管(MOSFET)，主要由一个N沟道和一个P沟道MOSFET组合而成，设计用于逻辑电平门应用。这款产品能够在高达30V的漏源电压和150°C的工作温度下稳定运行，提供极佳的性能表现。

二、关键参数

1. FET类型：

   • N沟道和P沟道的组合，适合多种电路设计需求。

2. 漏源电压（Vdss）：

   • N沟道最大泄漏电压可达30V，P沟道最大泄漏电压为20V，满足大多数低电压应用的需要。

3. 电流（Id）：

   • N沟道最大连续漏极电流为1.4A，而P沟道为1A，能支持多种负载条件下的应用，具有较高的电流承载能力。

4. 导通电阻（Rds(on）：

   • 在额定电流1.4A及栅极电压10V条件下，最大导通电阻为240毫欧，为设计提供了优秀的低功耗表现。

5. 栅源阈值电压（Vgs(th)）：

   • 在1mA电流下，最大阈值电压为2.5V，确保快速而可靠的开关响应。

6. 栅极电荷（Qg）：

   • 最大栅极电荷为2nC，在5V电压条件下，提供有效的驱动，确保高频率开关操作的兼容性。

7. 输入电容（Ciss）：

   • 在10V电压条件下，输入电容为70pF，降低了开关损耗，提高了工作效率。

8. 额定功率：

   • 最大功耗为1W，确保在高负载下的安全工作和高效散热。

9. 封装：

   • 采用6-SMD扁平引线封装（TUMT6），具有良好的散热性能，适合表面贴装应用，节约了PCB空间。

10. 工作温度：

    • 最高工作温度可达150°C（TJ），适用于严苛环境下的应用。

三、应用场景

US6M1TR特别适用于各类高频、低功耗的开关电源、逆变器、马达驱动、LED驱动电源以及其他需要快速开关和高效率的电路。由于其优秀的参数特性，这款FET在消费电子、工业自动化、汽车电子等领域中均有广泛的应用前景。

四、产品优势

• 高效能：通过低导通电阻和较低的栅极电荷，US6M1TR能够有效降低功率损耗，提高系统的整体效率。
• 热管理：在高达150°C的工作温度下保持稳定性，适合需要高温工作的应用。
• 设计灵活性：组合的N/P沟道设计和较高的电压/电流规格，给设计工程师提供了极大的灵活性，可以在多种电压和负载条件下工作。
• 集成封装：TUMT6封装设计便于PCB布局和焊接，适合现代化的表面贴装技术。

五、总结

US6M1TR是ROHM公司在MOSFET领域的又一力作，以其出众的电气特性和可靠的性能，成为现代电子设计中不可或缺的组件之一。凭借其灵活的应用范围和卓越的工作参数，无论在消费电子、工业设备还是汽车电子中，都能为设计师提供优质而可靠的解决方案。选择US6M1TR，您将能够实现更高的设计效率和更好的产品性能。