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DMP6050SPS-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
PowerDI5060-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.3W 60V 5.7A 1个P沟道 PowerDI5060-8
库存 :
2245(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
1.97按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.97
--
100+
￥1.51
--
1250+
￥1.32
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMP6050SPS-13参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 30nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2.163nF @ 30V |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI5060-8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
DMP6050SPS-13手册
无数据
DMP6050SPS-13概述
DMP6050SPS-13 产品概述
概况
DMP6050SPS-13 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，适用于各种低功耗和高电流应用。该产品由知名品牌 DIODES（美台）制造，采用先进的钝化技术，确保其在高温和高电压环境下的卓越稳定性与可靠性。该 MOSFET 具有宽广的工作温度范围、低导通电阻以及高电流承载能力，理想用于电源管理、汽车电子、以及其他需要高效能开关的应用场景。
关键参数
- FET 类型: P 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物场效应管）
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 连续漏极电流（Id）: 5.7A（在 25°C 环境下）
- 驱动电压（Vgs）: 最小 4.5V，最大 10V
- 导通电阻（Rds On）:
- 最大值 50 mΩ @ 10V、5A
- 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值 3V @ 250μA
- 栅极电荷（Qg）: 最大值 30nC @ 10V
- 栅源极最大电压（Vgs）: ±20V
- 输入电容（Ciss）: 最大值 2.163nF @ 30V
- 功率耗散: 最大值 1.3W
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C (TJ)
- 封装类型: PowerDI5060-8
- 安装方式: 表面贴装型
应用领域
由于其出色的热性能和电气参数，DMP6050SPS-13 非常适合以下应用：
- 开关电源: 在电压转换和能量分配中扮演关键角色，能够有效提高系统的整体效率。
- 汽车电子: 在汽车电源管理、电机驱动等方面提供可靠的性能，能够承受高达 60V 的电压，适应现代汽车电子的需求。
- 电池管理系统: 通过有效的功率调节和控制，帮助延长电池寿命，提升能量利用率。
- 家用电器: 可用于电动工具、LED照明、消费者电子等设备，提供高效的开关控制。
性能特点
低导通电阻: DMP6050SPS-13 的低 Rds On 值使其在高电流条件下，电能损失最小化，温升较低，有助于提高系统的可靠性和效率。
宽广的工作温度范围: 该 MOSFET 能够在 -55°C 至 150°C 的温度下稳定工作，这使其适合在极端环境中使用，如航空、汽车等行业。
优秀的电气特性: 具备快速的开关速度和低栅极电荷，能够支持高频操作，大幅降低开关损耗，提高系统整体的效率。
强大的封装设计: 采用 PowerDI5060-8 封装，具有优异的热性能和空间效率，适合高密度的电子设计，便于在有限的空间内散热。
结论
总之，DMP6050SPS-13 是一款可靠、高效、适应性强的 P 通道 MOSFET，满足现代电子设备对性能、效率及供电可靠性的高标准需求。通过使用此元件，设计工程师可以保证他们的产品在降低功耗的同时，保持极高的性能，为其应用领域提供最优解决方案。无论是电角调节、电源管理还是电池监测，DMP6050SPS-13 都是理想选择，能够帮助实现更智能的电源解决方案。