功率(Pd) | 164W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 20pF@400V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 60mΩ@10V,15.9A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 67nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 600V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.895nF@400V | 连续漏极电流(Id) | 30A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.5V@0.8mA |
IPW60R060P7 是一款高性能的 N 沟道电场效应晶体管(MOSFET),由英飞凌(Infineon)公司生产。该产品的额定功率达到 164W,最高可承受 600V 的工作电压,并能够在长时间内输出 48A 的电流。这些特性使其在电源管理、逆变器、马达驱动和各种高压高频应用中表现出色。
IPW60R060P7 被广泛应用于多种领域,其中包括但不限于:
IPW60R060P7 的低导通电阻和高电流处理能力显著提高了系统的热性能,降低了对散热管理的需求。此外,MOSFET 的快速开关特性使得它在高频应用中也能保持高效的工作表现。这些性能使得它在现代高科技产品和设备中成为一种理想的选择。
在设计使用 IPW60R060P7 的电路时,应考虑其额定电压和电流,确保设计符合其最大限制。此外,合理的散热设计也是至关重要的,以确保器件在正常工作状态下不会过热。另外,由于高频开关的引入,适当的驱动电路设计有助于确保 MOSFET 的可靠开关性能。
总之,IPW60R060P7 是树立高效能电力电子应用的优秀选择。凭借其出色的电气参数、热性能以及广泛的应用领域,该器件适合多种现代高科技产品。随着对高效能能量管理需求的持续增长,IPW60R060P7 将继续在电源管理、逆变器和马达驱动领域发挥重要作用。选择英飞凌的 IPW60R060P7 可以为电子开发者提供稳定、可靠、高效的解决方案,为现代电力电子系统的设计提供了强大的支持。