FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.9A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3 欧姆 @ 1.1A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 8.9nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 170pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta),25W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
产品简介
IRFR9210TRPBF 是一款高性能的 P沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),由 VISHAY(威世)制造,适用于需要高电压和高电流的电子应用。该器件具有200V的漏源电压(Vdss)、1.9A的连续漏极电流(Id)以及出色的导通电阻特性,广泛用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器等领域。
技术参数
封装与安装方式
IRFR9210TRPBF 采用 D-Pak(TO-252-3)封装,方便在表面贴装的电路板上进行快速安装和散热。该封装的紧凑设计使其适合现代电子设备中空间受到限制的应用。
应用场景
由于其优越的性能和可靠性,IRFR9210TRPBF 被广泛应用于以下场景:
优势
结论
IRFR9210TRPBF 是一款极具竞争力的 P沟道 MOSFET,以其卓越的电气性能和耐用性能够满足现代电子设备的各种需求。无论是在高效率的电源设计中,还是在实现电机控制时,IRFR9210TRPBF 作为关键组件,将为设计工程师提供可靠的解决方案,确保产品具有优良的性能和效率。