IRFR9210TRPBF 产品实物图片
IRFR9210TRPBF 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRFR9210TRPBF

商品编码: BM0218496812
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
DPAK-3 (TO-252-3)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 25W;2.5W 200V 1.9A 1个P沟道 DPAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.22
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.22
--
100+
¥2.47
--
1000+
¥2.16
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFR9210TRPBF参数

FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)200V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3 欧姆 @ 1.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)8.9nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)170pF @ 25V
功率耗散(最大值)2.5W(Ta),25W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装D-Pak
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

IRFR9210TRPBF手册

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IRFR9210TRPBF概述

IRFR9210TRPBF 产品概述

产品简介

IRFR9210TRPBF 是一款高性能的 P沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),由 VISHAY(威世)制造,适用于需要高电压和高电流的电子应用。该器件具有200V的漏源电压(Vdss)、1.9A的连续漏极电流(Id)以及出色的导通电阻特性,广泛用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器等领域。

技术参数

  • FET 类型:P沟道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物场效应管)
  • 漏源电压(Vdss):200V
  • 连续漏极电流(Id):1.9A(在25°C环境下,考虑到结温)
  • 最大导通电阻(Rds On):3Ω @ 1.1A,10V
  • 门极源极电压 (Vgs) 最大值:±20V
  • 阈值电压(Vgs(th)):最大值为4V @ 250µA,确保在低电平驱动时能够可靠导通。
  • 栅极电荷(Qg):最大值为8.9nC @ 10V,指示在开关操作中所需的门极驱动能力。
  • 输入电容(Ciss):最大值为170pF @ 25V,表明它具有较低的输入电压耦合能力。
  • 功率耗散(最大值):2.5W(在环境温度条件下)和25W(在结温条件下),允许器件在较高功率应用中工作。
  • 工作温度范围:-55°C 到 150°C,适合于各种极端环境下的应用。

封装与安装方式

IRFR9210TRPBF 采用 D-Pak(TO-252-3)封装,方便在表面贴装的电路板上进行快速安装和散热。该封装的紧凑设计使其适合现代电子设备中空间受到限制的应用。

应用场景

由于其优越的性能和可靠性,IRFR9210TRPBF 被广泛应用于以下场景:

  1. 开关电源:在正负电源之间切换时提供低通电阻,减少能量损耗。
  2. DC-DC 转换器:作为高效的开关元件来提高转换效率,尤其适合高电流输出的场景。
  3. 电机驱动器:在低电压应用情况下控制电机的启停及调速,非常适合工业设备和家电产品。
  4. 功率放大器:可用作信号调节和放大,从而提升信号质量和功率。

优势

  • 高电压和大电流:200V和1.9A的高电压电流承载能力,使IRFR9210TRPBF非常适合用在需要承受高电压和高电流的应用中。
  • 低导通电阻:3Ω的导通电阻值在实际应用中显著地减少了能耗,提高了系统的整体效率。
  • 高热管理能力:能承受高达25W的功率耗散,使其能够在高负荷环境中稳定运行,降低过热风险。
  • 扩展的工作温度范围:-55°C 到 150°C的广泛工作温度范围,确保元件能够在严酷环境中可靠工作。

结论

IRFR9210TRPBF 是一款极具竞争力的 P沟道 MOSFET,以其卓越的电气性能和耐用性能够满足现代电子设备的各种需求。无论是在高效率的电源设计中,还是在实现电机控制时,IRFR9210TRPBF 作为关键组件,将为设计工程师提供可靠的解决方案,确保产品具有优良的性能和效率。