UCC27282DR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

UCC27282DR

商品编码: BM0218403198
品牌 : 
TI(德州仪器)
封装 : 
SOIC-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
3-A, 120-V HALF BRIDGE GATE DRIV
库存 :
105(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
4.11
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.11
--
100+
¥3.42
--
1250+
¥3.42
--
2500+
¥3.42
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

UCC27282DR参数

制造商Texas Instruments包装卷带(TR)
零件状态有源驱动配置半桥
通道类型独立式栅极类型N 沟道 MOSFET
电压 - 供电5.5V ~ 16V逻辑电压 - VIL,VIH1.3V,1.9V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)2.5A,3.5A输入类型非反相
上升/下降时间(典型值)12ns,10ns工作温度-40°C ~ 125°C
安装类型表面贴装型封装/外壳8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOIC驱动器数2
高压侧电压 - 最大值(自举)120V

UCC27282DR手册

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UCC27282DR概述

UCC27282DR 产品概述

UCC27282DR是德州仪器(Texas Instruments)推出的一款高性能半桥栅极驱动器,具有广泛的应用场景,特别适用于电力电子设备、DC-DC转换器和电机驱动等领域。其设计旨在提供高效率和高可靠性的解决方案,适合需要高峰值电流输出的应用。

主要特点

  • 驱动配置: UCC27282DR采用半桥驱动配置,适合用于驱动N沟道MOSFET,为设计师提供了灵活的电路布局选择。
  • 双通道驱动: 此器件具备两个独立的驱动通道,能够同时驱动两个高侧和低侧MOSFET,支持多种电力转换拓扑结构。
  • 宽电压范围: 工作电压范围从5.5V到16V,此外,具备高达120V的高侧电压(自举功能),使其适用于高压应用,提高设计的适应性。
  • 峰值输出电流: 最高可输出3.5A的拉出电流与2.5A的灌入电流,确保了快速的开关响应,适合高频率工作。
  • 快速响应时间: 上升时间和下降时间分别为12ns和10ns,确保开关转换迅速,从而提高开关频率和整体效率。
  • 输入兼容性: 输入类型为非反相,逻辑电平的输入电压范围VIL和VIH分别为1.3V和1.9V,兼容多种逻辑电平信号,简化了与控制电路的接口设计。
  • 工作温度范围: UCC27282DR可在-40°C到125°C的广泛温度范围内稳定运行,适合在苛刻环境下的应用。

技术规格

  • 包装: UCC27282DR采用8-SOIC封装,适合表面贴装,具有较小的占板空间,便于集成到复杂的电路设计中。
  • 零件状态: 该部件是有源状态,适用于生产和开发阶段。
  • 控制类型: 该器件能够根据输入信号来控制高低侧MOSFET的开关状态,提供简洁和直接的驱动解决方案。

应用领域

UCC27282DR非常适合以下应用:

  1. DC-DC转换器: 在电源管理电路中,UCC27282DR可用作高效率的MOSFET驱动器,提升系统的功率密度和能量转化效率。
  2. 电机驱动: 该器件的快速响应特性使其成为直流电机和步进电机驱动的理想选择,支持高频脉冲宽度调制(PWM)控制。
  3. 开关电源: UCC27282DR可以在开关电源设计中使用,有助于降低开关损耗,提高电源整体性能。
  4. 功率放大器: 在音频或射频放大器电路中,UCC27282DR能够有效控制功率管,从而优化输出信号的质量。

结论

UCC27282DR以其优秀的性能参数、广泛的工作电压和高峰值输出电流,成为电力电子领域中一款非常有吸引力的半桥驱动器。其适用于多种高需求应用,能够有效提升电力转换效率和系统的整体性能,值得工程师们在下一代设计中考虑。通过德州仪器的产品质量和支持,UCC27282DR将为设计者提供强有力的技术支持,帮助用户实现更高效和更可靠的产品。