TPS28225DR 产品实物图片
TPS28225DR 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

TPS28225DR

商品编码: BM0218028900
品牌 : 
TI(德州仪器)
封装 : 
SOIC-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.173g
描述 : 
栅极驱动芯片 TPS28225DR SOIC-8
库存 :
87(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
3.54
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.54
--
100+
¥3.54
--
1250+
¥3.54
--
2500+
¥3.54
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

TPS28225DR参数

驱动配置半桥通道类型同步
驱动器数2栅极类型N 沟道 MOSFET
电压 - 供电4.5V ~ 8.8V输入类型非反相
高压侧电压 - 最大值(自举)33V上升/下降时间(典型值)10ns,10ns
工作温度-40°C ~ 125°C (TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装8-SOIC

TPS28225DR手册

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TPS28225DR概述

产品概述:TPS28225DR 栅极驱动芯片

一、简介

TPS28225DR 是德州仪器(Texas Instruments,TI)推出的一款高性能栅极驱动芯片,属于半桥配置的同步驱动器,专为高效率和高频开关应用设计。该芯片利用N沟道MOSFET作为主要驱动组件,能够在4.5V至8.8V的供电电压范围内稳定工作,适用于多种电力转换和电机控制应用。

二、基本特性

  1. 驱动配置:TPS28225DR 采用半桥配置,适合用于各种中功率和高功率的 converting 解决方案,如 DC-DC 转换器和电机驱动。

  2. 通道类型:该芯片支持同步作为其通道类型,提供更高的效率和更低的能量损耗,尤其在高频开关操作中表现尤为突出。

  3. 电压范围:其供电电压范围为 4.5V 至 8.8V,使其能够在多种电源应用中进行适配,兼容更广泛的输入设备。

  4. 最大自举电压:高压侧电压最大可达到 33V,满足高功率应用需求,同时提供一定程度上的设计灵活性。

  5. 开关速度:该芯片具备典型的上升时间和下降时间均为 10ns,适合需要快速切换的应用场景,能够有效减小开关损耗,有助于提高整体系统性能。

  6. 工作温度范围:TPS28225DR 能够在 -40°C 至 125°C 的温度范围内可靠工作,适合各种恶劣环境下的应用,例如工业设备和汽车电子。

  7. 封装与安装:采用了紧凑的 8-SOIC 封装,尺寸为 0.154"(宽度为 3.90mm),支持表面贴装(SMD)安装,方便在现代高密度电子设备中集成使用。

三、应用领域

TPS28225DR 广泛应用于以下领域:

  • DC-DC 转换器:在开关稳压源(Switching Voltage Regulators)中,TPS28225DR 可作为高效的驱动解决方案,确保输出稳定并提高效率。

  • 电机控制:在无刷电机驱动和步进电机控制中,TPS28225DR 提供必要的栅极驱动能力,保证电机以高效和稳定的方式运行。

  • 太阳能逆变器:适用于太阳能发电系统中的逆变器,提供高效的电源转换,并在各种工作条件下保持出色的性能。

  • 电力电子设备: 适用于电池管理系统、交流-直流(AC-DC)转换器等多种电力电子设备,实现高性能的功率转换。

四、设计优点

  1. 高效率运行:由于其高开关频率和低开关损耗,TPS28225DR 能够在提高效率的同时降低热量产生,从而延长设备的使用寿命。

  2. 热管理友好:其宽工作温度范围使得在高温环境下的应用依然能够稳定运行,从而减少了对热设计的敏感性。

  3. 简化设计:通过其适应广泛电压范围和快速开关能力,设计工程师可简化电路设计,减少额外元器件需求,从而缩短开发周期。

五、结论

TPS28225DR 栅极驱动芯片是德州仪器专为高效率、高频操作而设计的重要元器件。凭借其卓越的性能和宽广的应用领域,TPS28225DR 显著提升了电力转换系统和电机驱动解决方案的效率与可靠性,成为现代电子设计中的理想选择。无论是在工业、汽车还是消费电子产品中,该芯片都能为用户提供优越的性能和设计灵活性,支持开发高效、可信赖的电子系统。