驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 同步 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 4.5V ~ 8.8V | 输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 33V | 上升/下降时间(典型值) | 10ns,10ns |
工作温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
TPS28225DR 是德州仪器(Texas Instruments,TI)推出的一款高性能栅极驱动芯片,属于半桥配置的同步驱动器,专为高效率和高频开关应用设计。该芯片利用N沟道MOSFET作为主要驱动组件,能够在4.5V至8.8V的供电电压范围内稳定工作,适用于多种电力转换和电机控制应用。
驱动配置:TPS28225DR 采用半桥配置,适合用于各种中功率和高功率的 converting 解决方案,如 DC-DC 转换器和电机驱动。
通道类型:该芯片支持同步作为其通道类型,提供更高的效率和更低的能量损耗,尤其在高频开关操作中表现尤为突出。
电压范围:其供电电压范围为 4.5V 至 8.8V,使其能够在多种电源应用中进行适配,兼容更广泛的输入设备。
最大自举电压:高压侧电压最大可达到 33V,满足高功率应用需求,同时提供一定程度上的设计灵活性。
开关速度:该芯片具备典型的上升时间和下降时间均为 10ns,适合需要快速切换的应用场景,能够有效减小开关损耗,有助于提高整体系统性能。
工作温度范围:TPS28225DR 能够在 -40°C 至 125°C 的温度范围内可靠工作,适合各种恶劣环境下的应用,例如工业设备和汽车电子。
封装与安装:采用了紧凑的 8-SOIC 封装,尺寸为 0.154"(宽度为 3.90mm),支持表面贴装(SMD)安装,方便在现代高密度电子设备中集成使用。
TPS28225DR 广泛应用于以下领域:
DC-DC 转换器:在开关稳压源(Switching Voltage Regulators)中,TPS28225DR 可作为高效的驱动解决方案,确保输出稳定并提高效率。
电机控制:在无刷电机驱动和步进电机控制中,TPS28225DR 提供必要的栅极驱动能力,保证电机以高效和稳定的方式运行。
太阳能逆变器:适用于太阳能发电系统中的逆变器,提供高效的电源转换,并在各种工作条件下保持出色的性能。
电力电子设备: 适用于电池管理系统、交流-直流(AC-DC)转换器等多种电力电子设备,实现高性能的功率转换。
高效率运行:由于其高开关频率和低开关损耗,TPS28225DR 能够在提高效率的同时降低热量产生,从而延长设备的使用寿命。
热管理友好:其宽工作温度范围使得在高温环境下的应用依然能够稳定运行,从而减少了对热设计的敏感性。
简化设计:通过其适应广泛电压范围和快速开关能力,设计工程师可简化电路设计,减少额外元器件需求,从而缩短开发周期。
TPS28225DR 栅极驱动芯片是德州仪器专为高效率、高频操作而设计的重要元器件。凭借其卓越的性能和宽广的应用领域,TPS28225DR 显著提升了电力转换系统和电机驱动解决方案的效率与可靠性,成为现代电子设计中的理想选择。无论是在工业、汽车还是消费电子产品中,该芯片都能为用户提供优越的性能和设计灵活性,支持开发高效、可信赖的电子系统。