WNM7002-3/TR
WNM7002-3/TR参数
| 功率(Pd) | 960mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 0.27pF@25V |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.8Ω@4.5V,0.2A |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 410pC@10V |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | 类型 | 1个N沟道 |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 14.4pF@25V | 连续漏极电流(Id) | 300mA |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.4V@250uA |
WNM7002-3/TR手册
WNM7002-3/TR概述
产品概述：WNM7002-3/TR MOSFET
引言
WNM7002-3/TR 是由著名的半导体制造商 WILLSEMI（韦尔）推出的一款场效应管（MOSFET），专为在多种电子应用中提供高效的功率管理和开关控制而设计。其主要特性包括卓越的功率处理能力、适合于较高电压和电流的应用，并且由于其紧凑的 SOT-23 封装，WNM7002-3/TR 可以在空间受限的环境中灵活运用。
基本参数
- 封装类型: SOT-23
- 电源功率: 830mW
- 最大漏极电压 (VDS): 60V
- 最大漏极电流 (ID): 280mA
- 型别: N沟道
产品特点
高工作电压和电流: WNM7002-3/TR 能够在高达 60V 的环境下正常工作，适合用于高电压的电源管理应用。在电流方面，其最大漏极电流可达 280mA，确保能够满足多数中低功率电路的需求。
高功率密度: 830mW 的功率管理能力使其能够在高温和高负载条件下稳定工作。优秀的功耗表现能够降低设备的整体耗电，增加电路的能效。
紧凑型封装: SOT-23 封装使得 WNM7002-3/TR 在尺寸上非常紧凑，适合各种空间受限的应用，比如移动设备、便携式电子产品及小型工业设备。此封装形式不仅便于布局，还在散热性能上表现良好。
简化电路设计: 作为 N 沟道 MOSFET，WNM7002-3/TR 具有良好的开关特性，能够通过简单的电压信号控制其导通和关断状态。这使得设计者可以更轻松地集成到电路中，并减少设计复杂性。
广泛的应用场景: 该 MOSFET 支持多种应用，包括开关电源、稳压电源、直流电动机控制、LED 驱动以及其他功率管理和信号切换应用。无论是在家庭电器、汽车电子还是工业自动化中，都能充分发挥其优势。
应用领域
WNM7002-3/TR 由于其出色的电气性能和封装特点，广泛应用于如下领域：
- 消费类电子产品: 如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。
- 家用电器: 如冰箱、空调、灯具控制等。
- 工业设备: 用于高效的开关电源设计、传感器控制等。
- 汽车电子: 在电机驱动、照明控制及电源管理系统中发挥关键作用。
- 物联网设备: 在无线传输和设备控制中需要低功耗、高效的 MOSFET 组件。
总结
WNM7002-3/TR MOSFET 以其优秀的电气性能、紧凑的封装和广泛的应用范围，成为了现代电子设备不可或缺的基础元件之一。无论是对功率管理的高要求还是对空间的严格限制，该产品都能胜任并提供理想解决方案。凭借其稳定性、可靠性和性能优化，WILLSEMI 的 WNM7002-3/TR 将在多种电子应用中帮助设计师实现更高的设计理念和产品效率。