制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 150mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 20mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 100 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 100 kOhms |
功率 - 最大值 | 250mW | 基本产品编号 | PDTC115 |
制造商背景
PDTC115ET/215是由Nexperia USA Inc.生产的数字晶体管,代表了该公司在小型、效率高且可靠的电子元器件领域的卓越技术。Nexperia成立于2017年,脱离了NXP Semiconductors,专注于提供高品质的半导体产品,包括二极管、晶体管和集成电路等。该公司以先进的制造技术和严谨的质量控制流程,确保其产品符合国际标准,广泛应用于消费电子、工业设备和汽车电子等各种领域。
基本参数和规格
PDTC115是一个NPN型预偏压数字晶体管,特别设计用于高效开关和放大应用。其主要规格包括:
电压和电流最大值:PDTC115的集电极到发射极击穿电压(Vce)最大可达50V,而其集电极电流(Ic)则最高可达20mA。这使得该晶体管在多种工作条件下都能实现稳定的性能。
功率处理能力:它的最大功率额定值为250mW。这为开发者提供了一定的余量,使其能在各种负载应用中保持可靠性。
DC电流增益(hFE):在特定的工作条件下,该晶体管的电流增益最小值为80,可在5mA的集电极电流和5V的电压下得到。相对较高的增益使其能够在低电流驱动下有效地放大信号,这是很多数字电路设计的重要需求。
饱和压降:当Ib为250µA,Ic为5mA时,其最大饱和压降为150mV,这确保了在高效工作时,器件的功耗能够降到最低。
集电极截止电流:该晶体管的集电极截止电流最大为1µA,有助于降低电池供电设备的静态功耗,确保其在休眠状态下仍能维持较长的工作时间。
封装和安装类型
PDTC115的封装形式为SOT-23-3,这是一种广泛用于低功率应用的表面贴装型封装。其紧凑的体积和轻量化特性使其非常适合于密集型电路板设计,尤其是手机、平板电脑等现代消费电子产品。利用卷带(TR)的包装方式,可以大幅提高生产效率,便于搭配自动化设备进行快速生产。
应用领域
PDTC115被广泛应用于数字电路设计中,尤其是用于开关控制、放大电路以及信号调理等场景。例如,它常见于各种智能家居设备、移动通信设备、消费性电子产品以及工业控制系统中。尤其在需要低功耗、高集成度组件的现代设计中,PDTC115的应用越来越受到青睐。
总结
总体来说,PDTC115ET/215是一款高效能的NPN预偏压数字晶体管,兼具小型化、低功耗和高可靠性。无论是在设计应用电路还是高效能开关控制中,它都能提供卓越的性能。在Nexperia的制造背景下,该晶体管必将持续为广大设计工程师提供强有力的支持和卓越的产品体验。让这款产品在不断发展的电子行业中占据一席之地,是您的理想选择。