NCE55P05S 产品实物图片
NCE55P05S 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NCE55P05S

商品编码: BM0217535930
品牌 : 
NCE(新洁能)
封装 : 
SOP-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3W 55V 5A 1个P沟道 SOP-8
库存 :
1330(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.585
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.585
--
100+
¥0.583
--
1000+
¥0.5775
--
2000+
¥0.572
--
40000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCE55P05S参数

功率(Pd)3W反向传输电容(Crss@Vds)110pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)80mΩ@10V,5A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)26nC@30V
漏源电压(Vdss)55V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)1.45nF@20V连续漏极电流(Id)5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA

NCE55P05S手册

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NCE55P05S概述

NCE55P05S 产品概述

引言

在现代电子设备中,场效应管(MOSFET)是一种不可或缺的重要器件,广泛应用于开关电源、功率管理、电机控制以及信号调理等多种场景中。NCE(新洁能)推出的NCE55P05S是一个高性能的P沟道MOSFET,具有3W的功耗能力、55V的耐压值和5A的工作电流,适用于各种需要高效率和稳定性的应用。

主要特点

  1. 高耐压能力:NCE55P05S的最大耐压达到55V,使其能够在高电压环境中安全工作。这一特性使其适合用于汽车电子、工业控制等需求较高的场合。

  2. 额定电流:5A的额定电流使得NCE55P05S在多个应用中表现出色,能够轻松驱动大功率负载,满足设计的各种需求。

  3. 低导通电阻:该MOSFET具有较低的R_DS(on)值,这意味着在导通状态时,器件的功耗降低,从而提高了整体电源效率。这一特点在开关电源及功率放大器应用中尤为重要。

  4. SOP-8封装:SOP-8与常见的表面贴装技术(SMD)兼容,使NCE55P05S易于安装和组装。其小巧的封装设计有助于节省电路板空间,适合高密度的电子产品设计。

  5. 优良的热稳定性:该器件在高温环境下依然保持良好的性能,使其适合用于散热要求高的场合,例如电机驱动和大功率开关。

应用领域

  • 开关电源(SMPS):NCE55P05S可用于各种开关电源中,提供高效率的电力转换,降低能耗并提高系统稳定性。
  • 电机控制:在电机驱动应用中,该MOSFET能够高效控制电机的启停及调速,适用于直流电机、步进电机和伺服电机等多种类型。
  • 电源管理系统:NCE55P05S可用于各类电源管理电路,例如负载开关、充电器、电池管理系统等。
  • 汽车电子:该器件能够在极端环境下稳定工作,非常适合用于汽车电子、电池管理和动力系统中的开关控制任务。

优势

使用NCE55P05S的显著优势包括:

  • 高效能:低导通电阻带来的低功耗与高效率,能够有效降低电路的发热,提高系统的可靠性。
  • 小巧设计:的SOP-8封装设计,能够在有限的空间中实现高性能开关控制,是高密度设计的理想选择。
  • 多应用适应性:该MOSFET能够适用于多个领域,尤其是在需要高效电源转换的产品中,显示出良好通用性。

结论

NCE55P05S作为一款集高耐压、低功耗和高效率于一身的P沟道MOSFET,为工程师提供了灵活的选择,能够满足多种苛刻应用需求。无论是在开关电源、汽车电子还是电机控制等领域,NCE55P05S都展示了其卓越的性能和广泛的适用性,推动了现代电子设计的发展。对于追求高效率及高可靠性的设计师来说,NCE55P05S无疑是一个理想的解决方案。