功率(Pd) | 3W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 110pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 80mΩ@10V,5A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 26nC@30V |
漏源电压(Vdss) | 55V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.45nF@20V | 连续漏极电流(Id) | 5A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
在现代电子设备中,场效应管(MOSFET)是一种不可或缺的重要器件,广泛应用于开关电源、功率管理、电机控制以及信号调理等多种场景中。NCE(新洁能)推出的NCE55P05S是一个高性能的P沟道MOSFET,具有3W的功耗能力、55V的耐压值和5A的工作电流,适用于各种需要高效率和稳定性的应用。
高耐压能力:NCE55P05S的最大耐压达到55V,使其能够在高电压环境中安全工作。这一特性使其适合用于汽车电子、工业控制等需求较高的场合。
额定电流:5A的额定电流使得NCE55P05S在多个应用中表现出色,能够轻松驱动大功率负载,满足设计的各种需求。
低导通电阻:该MOSFET具有较低的R_DS(on)值,这意味着在导通状态时,器件的功耗降低,从而提高了整体电源效率。这一特点在开关电源及功率放大器应用中尤为重要。
SOP-8封装:SOP-8与常见的表面贴装技术(SMD)兼容,使NCE55P05S易于安装和组装。其小巧的封装设计有助于节省电路板空间,适合高密度的电子产品设计。
优良的热稳定性:该器件在高温环境下依然保持良好的性能,使其适合用于散热要求高的场合,例如电机驱动和大功率开关。
使用NCE55P05S的显著优势包括:
NCE55P05S作为一款集高耐压、低功耗和高效率于一身的P沟道MOSFET,为工程师提供了灵活的选择,能够满足多种苛刻应用需求。无论是在开关电源、汽车电子还是电机控制等领域,NCE55P05S都展示了其卓越的性能和广泛的适用性,推动了现代电子设计的发展。对于追求高效率及高可靠性的设计师来说,NCE55P05S无疑是一个理想的解决方案。