安装类型 | 通孔 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 150A |
栅极电荷 | 123nC | 输入类型 | 标准 |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 650V |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2.1V @ 15V,75A | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 225A |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 开关能量 | 2.4mJ(开),720µJ(关) |
测试条件 | 400V,75A,3 欧姆,15V | 功率 - 最大值 | 455W |
25°C 时 Td(开/关)值 | 28ns/80ns | 反向恢复时间 (trr) | 43.4ns |
封装/外壳 | TO-247-3 | 供应商器件封装 | TO-247 长引线 |
产品型号:FGH75T65SHD-F155
品牌:ON Semiconductor(安森美)
封装形式:TO-247长引线
FGH75T65SHD-F155是一款高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),专为高功率和高电压应用而设计。其最大集电极电流(Ic)可达150A,集电极脉冲电流(Icm)可达225A,能够满足苛刻工作环境中的电流需求。这款IGBT的电压—集射极击穿等级高达650V,适合用于650V以下的应用,包括但不限于逆变器、伺服驱动和电源模块等。
电流规格:
电压规格:
开关特性:
栅极电荷和开关速度:
工作温度范围:-55°C至175°C(TJ),适用于严苛的环境条件。
FGH75T65SHD-F155采用TO-247-3封装,拥有长引线设计,便于在散热条件较为复杂的电路设计中实现高效散热。此外,其通孔安装类型使其能够广泛应用于各种电路板中,适应性强。
FGH75T65SHD-F155的优越特性使其成为多种应用场景的理想选择,包括:
FGH75T65SHD-F155是一款集高电流承载能力、优秀开关性能和高可靠性于一体的IGBT,它适用于多种需要高功率和高压的工业和能源应用。借助其出色的技术参数和优势,用户可以实现更加高效、稳定的电源管理和驱动解决方案。此外,该产品的广泛适用性和易于集成的设计,使其在现代电力电子应用中成为一种可靠而有效的选择。