制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A(Tj) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 36.6 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA | Vgs(最大值) | ±20V |
功率耗散(最大值) | 91W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK33 |
封装/外壳 | SOT-1210,8-LFPAK33 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 30nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1470pF @ 50V |
PSMN040-100MSEX 是 Nexperia USA Inc. 提供的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),它具有出色的电气特性和优越的热稳定性,特别适合于高功率应用和要求高效率的电子设备。该器件采用 LFPAK33 表面贴装封装,便于自动化生产和高密度布局。设计上的优化使其广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等领域。
PSMN040-100MSEX 的设计对象是各种高功率和高频率的电子应用,这些应用通常要求器件在较高的电压和电流下稳定工作。其主要适用领域包括:
PSMN040-100MSEX N 通道 MOSFET 以其高功率、高效率及极广的应用范围,成为现代电子设计中的重要元件。无论是在电源管理、电机驱动还是电池管理系统中,该产品都能为工程师提供灵活的解决方案,满足当前市场对高性能电子设备的需求。通过选择 Nexperia 的 PSMN040-100MSEX,设计师能够在更高的效率与性能的基础上,确保其电子产品的成功和可靠性。