FDD8447L
FDD8447L参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15.2A（Ta），50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.5 毫欧 @ 14A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 52nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1970pF @ 20V |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta），44W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-PAK（TO-252） |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
FDD8447L手册
FDD8447L概述
FDD8447L 产品概述
产品概述
FDD8447L 是一款高性能的 N 通道 MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)，其具备优异的电气特性和可靠的工作环境，广泛应用于各种电子电路中，如开关电源、直流电动机驱动和功率放大器等。该器件由安森美 (ON Semiconductor) 生产，采用 D-PAK（TO-252）封装，既适合表面贴装技术，又便于散热的能力和安装的灵活性。这些性能使得 FDD8447L 在现代电子产品中成为理想的选择。
关键参数与特性
FDD8447L 的额定漏源电压 Vdss 为 40V，连续漏极电流 Id 达到了 15.2A (在环境温度 25°C 下)，在更高的散热条件下 (Tc) 可达到 50A。这种高电流承载能力使得该 MOSFET 可用于高负载应用。
导通电阻 Rds(on) 是评估 MOSFET 性能的重要参数，FDD8447L 在 Vgs = 10V 和 Id = 14A 的条件下，最大传导电阻为 8.5 毫欧，显示出出色的导电性能。最低的 Rds(on) 能有效降低电力损耗，提升系统效率。
另外，该器件的门极电压驱动要求为 4.5V 和 10V，提供了良好的兼容性，并广泛适用于多种驱动电路。在门极阈值电压 Vgs(th) 下，该 MOSFET 的最大值为 3V @ 250μA，这不仅保证了器件的快速响应，还为设计师提供了灵活性。
另一重要特性是栅极电荷 (Qg)，其最大值为 52nC @ 10V，较小的栅极电荷有助于降低驱动电路的功率消耗，尤其在开关频率较高的应用中，能够显著提高整体性能。
工作条件
FDD8447L 的工作环境温度范围为 -55°C 到 150°C (TJ)，使得该设备能够在极端环境下可靠运行。该器件的最大功率耗散能力为 3.1W（环境温度 Ta 下）和 44W（Tc 下），能有效地处理较高的热负荷，适合于各类高效能的电子设备。
封装与安装
该器件采用 D-PAK（TO-252）封装，具有较小的体积和较大的接触面积，有效实现了优异的散热效果和电气性能。表面贴装技术 (SMT) 的应用，使得 FDD8447L 适合于自动化生产线，降低生产成本和时间，提高产品的一致性。
此封装方式不仅便于安装和维修，还直接影响到总体电路设计的空间利用率，使设备的设计更加灵活多样。SC-63 封装标准与行业兼容，具有良好的可用性和互换性。
应用场景
FDD8447L 在现代电子产品中具有广泛的应用场景，如：
- 开关电源：在开关电源电路中，能够有效地控制电流，提高电能转化效率。
- 电源管理：在电源管理 IC 中，用于提供精准稳定的阈值电压，以应对不同负载变化。
- 电动机驱动：应用于直流电动机控制中，保证良好的启动和稳定工作状态。
- 功率放大器：作为功率放大器的输出级，提供稳定的功率输出，加快信号传输速度。
结论
综合上述，FDD8447L 是一款性能卓越的 N 通道 MOSFET，具备多项有利于高效能设计的关键特性。其高电流承载能力、优异的导通电阻、宽工作温度范围及适用于多种应用的灵活性，使其成为制造高性能电子设备时不可或缺的组件。对于工程师而言，选择 FDD8447L 将能加速产品开发过程，并提升最终产品的竞争力。