技术 | 容性耦合 | 通道数 | 1 |
电压 - 隔离 | 5700Vrms | 共模瞬变抗扰度(最小值) | 150V/ns |
传播延迟 tpLH / tpHL(最大值) | 130ns,130ns | 脉宽失真(最大) | 30ns |
上升/下降时间(典型值) | 33ns,27ns | 电流 - 峰值输出 | 10A |
电压 - 输出供电 | 13V ~ 33V | 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
供应商器件封装 | 16-SOIC | 认证机构 | CQC,CSA,TUV,UL,VDE |
UCC21750QDWRQ1 是一款来自德州仪器(Texas Instruments, TI)的单通道隔离驱动器,专为SiC和IGBT功率器件的驱动而设计。该产品尤其适用于高性能电源转换应用,如电动汽车、工业电机驱动、可再生能源及其他要求高效能和高可靠性的场合。
容性耦合技术:UCC21750QDWRQ1 采用先进的容性耦合技术,使其在提供高隔离电压的同时,能够保证良好的信号传输性能。这种技术能够有效抑制共模干扰,并能在极端的工作环境中保持稳定的性能。
高隔离电压:该驱动器的隔离电压高达5700Vrms,确保了高电压应用中的安全性。这使其能够在高压环境中可靠操作,满足工业和汽车级别的严格要求。
优异的抗干扰性能:UCC21750QDWRQ1 的共模瞬变抗扰度最小值可达150V/ns,极大降低了系统在快速瞬时变化下的误动风险,增强了整体系统的稳定性和可靠性。
快速响应与低延迟:该驱动器具有最大的传播延迟 tpLH 和 tpHL 为130ns,速度快且延迟小,使其适用于高频率的操作。这对于需要迅速开关控制的应用场合尤为重要。
脉宽失真和上升/下降时间:最大脉宽失真仅为30ns,典型上升/下降时间分别为33ns和27ns,保证了在高频操作条件下,输出信号的准确性和稳定性。
UCC21750QDWRQ1 具备高达10A的峰值输出电流,能够驱动大多数SiC和IGBT元件,满足高功率应用的需求。此外,其输出供电电压范围为13V至33V,提供了灵活的兼容性,适应不同的应用场景。
该器件能够在-40°C至125°C的工作温度范围内稳定工作,适合高温和严酷环境下的应用,这对于电动汽车和工业设备等要求高温性能的场合尤为关键。
UCC21750QDWRQ1采用16-SOIC表面贴装封装,尺寸为0.295"(7.50mm宽),这使其能够方便地集成到紧凑型设计中,同时保证了良好的散热性能和电气连接。
该产品获得了多项国际认证,如CQC、CSA、TUV、UL和VDE,确保其在全球范围内的合规性与可靠性。这对于那些在法规和安全性高度关注的应用尤为重要。
UCC21750QDWRQ1广泛应用于电动汽车(EV)充电器、工业电机驱动、变频器、光伏逆变器等高功率、高频率的场合。其高隔离电压、优良的抗干扰能力以及快速响应特性,使得该器件在高电压应用中表现突出,能够有效提升系统的性能。
UCC21750QDWRQ1 是一款性能卓越、可靠性高的单通道隔离驱动器,特别适用于需要隔离和高速驱动的应用场合。随着电源转换技术的不断发展,该器件凭借其出色的规格和应用灵活性,必将在现代电力电子领域发挥重要作用。选择UCC21750QDWRQ1,将为您的设计提供更高的安全性和效率,是值得信赖的解决方案。