AP2302 产品实物图片
AP2302 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AP2302

商品编码: BM0217124811
品牌 : 
ALLPOWER(铨力)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 350mW 20V 4A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.418
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.418
--
200+
¥0.139
--
1500+
¥0.087
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

AP2302参数

功率(Pd)350mW商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)30mΩ@4.5V,3.6A漏源电压(Vdss)20V
类型1个N沟道连续漏极电流(Id)4A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.2V@50uA

AP2302手册

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AP2302概述

AP2302 产品概述

概述

AP2302是一款符合高性能要求的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),它的设计旨在满足现代电子设备对高效能、低功耗和小型化的需求。该元件的额定功率为350mW,电压范围可达到20V,最大漏极电流为4A,适合多种电子应用场景。

主要特性

  1. 高性能电气参数

    • 功耗:AP2302在350mW的功耗范围内,提供卓越的性能表现。相对较低的功耗使得该MOSFET在高频、高速开关应用中更加高效,延长了设备的使用寿命。
    • 电压和电流:该器件的最大耐压为20V,可承受高达4A的漏极电流,使其在多个工作环境中保持稳定的性能,并意味着它可以有效驱动各种负载。
  2. 小型化封装

    • 封装类型:AP2302采用SOT-23封装,这种封装类型不仅体积小巧,而且便于在电路板上进行布局,适用于便携式电子设备、医疗仪器和汽车电子等领域。SOT-23封装还具有良好的热性能,能够有效管理设备发热。
  3. 氮化硅氧化物技术

    • AP2302的内部结构采用先进的氮化硅氧化物(SiO)材料技术,这使得其在开关操作时具有更低的导通电阻和更高的开关速度,极大提高了整体电路的效率。
  4. 出色的开关性能

    • 该MOSFET在高频率操作中表现出色,由于其快速开关特性,AP2302能够有效地降低开关损耗,从而提升整个系统的能效。这一点对于需要频繁开关的应用(例如DC-DC转换器、LED驱动器和电源管理等)尤其重要。

应用场景

AP2302由于其优异的电气特性和紧凑的封装方式,使其成为以下领域的理想选择:

  1. 开关电源

    • 在开关电源领域,AP2302的低导通电阻和快速开关速度使其成为DC-DC转换器和AC-DC电源设计中的关键部件。它能够有效提高转换效率,降低系统的整体功耗。
  2. 电子图像处理

    • 在图像传感器和处理器中,AP2302适用于信号开关和噪音抑制电路,其低功耗和高速响应特性可以确保板上信号的高质量传递。
  3. LED驱动

    • AP2302对于LED照明驱动电路而言,是个理想选择。其高效率和良好的热管理能力确保了LED的稳定工作和长寿命。
  4. 消费电子产品

    • 各种手机、平板电脑和其他手持设备中,AP2302都可以应用于电源管理和信号开关中。它的高集成度和小型化特性使其非常适合这些紧凑型电子产品。
  5. 电动汽车

    • 在电动汽车和混合动力车辆中,AP2302可用于电力管理模块和驱动电机的控制电路,助力实现节能和高效能的目标。

结论

综上所述,AP2302 MOSFET凭借其卓越的技术参数、紧凑的SOT-23封装和多样的应用场景,成为各种电子设备中不可或缺的重要组成部分。无论是在开关电源、图像处理电子设备还是LED驱动领域,AP2302都能提供稳定可靠的性能,帮助工程师实现更高的设计目标和卓越的产品性能。