T55B157M6R3C0035
T55B157M6R3C0035参数
| 电容 | 150µF | 容差 | ±20% |
| 电压 - 额定 | 6.3V | 类型 | 模制 |
| ESR（等效串联电阻） | 35 毫欧 @ 100kHz | 工作温度 | -55°C ~ 105°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 1411（3528 公制） |
| 大小 / 尺寸 | 0.138" 长 x 0.110" 宽（3.50mm x 2.80mm） | 高度 - 安装（最大值） | 0.083"（2.10mm） |
| 制造商尺寸代码 | B | 特性 | 通用 |
T55B157M6R3C0035手册
T55B157M6R3C0035概述
T55B157M6R3C0035 产品概述
产品简介
T55B157M6R3C0035 是 VISHAY（威世）制造的一款高性能钽电容，额定电压为 6.3V，电容量为 150µF，具有 ±20% 的容差。这款电容在现代电子设备中广泛应用，特别是在需要高可靠性和小型化设计的场合，如移动设备、计算机、汽车电子和其他消费电子产品。
主要参数
- 电容值：150µF
- 容差：±20%
- 额定电压：6.3V
- 等效串联电阻 (ESR)：35mΩ @ 100kHz
- 工作温度范围：-55°C 至 105°C
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：1411（3528 公制）
- 尺寸：3.50mm x 2.80mm，最大高度 2.10mm
- 制造商尺寸代码：B
- 特性：通用
特性与优势
高可靠性：VISHAY 提供的这款钽电容具有极佳的稳定性，适应广泛的工作温度范围，能够在极端环境下保持良好的性能。
小型化设计：其封装尺寸为 1411（3528 公制），能够有效节省电路板空间，高度仅为 2.10mm，非常适合空间受限的应用。
低 ESR 特性：35mΩ 的低 ESR 特性使得该电容在高频工作时表现优秀，能够有效降低能量损耗和发热，提升电路效率，适合高频解耦与滤波用途。
广泛的应用场景：无论是计算机、通信设备还是汽车电子，该电容都可以在各种产品中提供可靠的性能，满足设计师在高频、高容量应用需求。
应用场景
T55B157M6R3C0035 的应用场景涵盖多个领域，包括但不限于：
消费电子：用于手机、平板电脑、数码相机等设备的电源管理。
计算机系统：在主板、图形卡及其他外设中作为去耦电容或储能电容。
汽车电子：用于车载电脑、音响系统等的供电和信号处理模块。
工业设备：在各种工业控制和监测设备中提升电路的稳健性和抗干扰能力。
使用注意事项
在使用 T55B157M6R3C0035 时，用户需注意以下几点：
额定压降：确保电容电压不超过其额定电压6.3V，以避免过载和潜在的失效。
温度控制：尽管该电容设计承受 -55°C 至 105°C 的工作温度，最佳性能通常在20°C至70°C范围内，因此需合理控制操作环境温度。
焊接和布线：采用适当的焊接技术，避免过高的温度和静电损伤，确保使用寿命和可靠性。
总结
T55B157M6R3C0035 作为一款高性能的钽电容，凭借其小型化设计、低 ESR 和广泛的工作温度范围，在当今电子设备中扮演了不可或缺的角色。VISHAY（威世）的这款电容无疑是实现高效、可靠电子设计的重要元件，帮助工程师在复杂的电路中达成预期的应用效果。无论您是在设计新产品还是升级现有设备，选择 T55B157M6R3C0035 都是一个高质量、高性能的解决方案。