SIHP18N50C-E3

SIHP18N50C-E3 产品概述

产品基本信息

SIHP18N50C-E3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，适合于各种工业和消费电子应用。该器件由知名半导体制造商 VISHAY（威世）生产，具有出色的电气性能和可靠的工作特性。其主要电气规格包括最大漏源电压（Vdss）为 500V，连续漏极电流（Id）可达 18A，功率耗散能力为 223W，这些指标使其在高压驱动和高功率应用中表现出色。

电气特性

SIHP18N50C-E3 的关键电气参数包括：

• 漏源电压（Vdss）：器件的最大漏源电压可达 500V，适合用于高电压电源、逆变器、开关电源等需要高压工作环境的电路设计。
• 连续漏极电流（Id）：在 25°C 环境温度下，该 MOSFET 能够承受高达 18A 的连续电流，这使得其在高功率应用中的使用非常灵活。
• 导通电阻（Rds On）：在 Vgs 为 10V、Id 为 10A 时，最大导通电阻为 270 毫欧。这意味著在导通状态下，其能量损耗较低，从而提升系统总体效率。
• 栅极驱动电压（Vgs）：该器件具备 10V 的驱动电压，适合大部分控制电路的需求。同时，其栅极-源极电压最大值为 ±30V，确保在电路过压情况下的安全性。

其他重要参数

• 阈值电压（Vgs(th)）：最大阈值电压 Vgs(th) 为 5V（@ 250µA），这意味着在相对较低的栅极电压下即可驱动该器件开启，提高了系统的控制灵活性。
• 栅极电荷（Qg）：在 10V 驱动下，栅极电荷最大值为 76nC。这一数据对于高频开关应用尤为重要，因为较低的栅极电荷可以提高开关速度，降低开关损耗。
• 输入电容（Ciss）：在 25V 时，输入电容可达 2942pF。这一特性对于设计高频电路（例如开关电源）时尤为关注，较低的输入电容能够提高电路的工作频率。

工作环境与封装

SIHP18N50C-E3 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，适合多种严苛环境下的操作，尤其是在高温应用中。它采用 TO-220AB-3 封装，方便通孔安装，广泛适用于散热条件要求较高的设计。TO-220 封装的设计使得该器件在散热性能方面具备优势，确保其在长时间高功率工作下不会过热。

应用场景

由于其卓越的性能，SIHP18N50C-E3 可广泛应用于诸如：

• 开关电源适配器
• 逆变器（如太阳能逆变器）
• DC-DC 转换器
• 电动机驱动控制
• 高频开关电路

总结

SIHP18N50C-E3 是一款优秀的 N 通道 MOSFET，凭借其高压高流能力、低导通电阻以及宽广工作温度范围，非常适合于高功率与高频电路设计。作为 VISHAY 品牌的产品，其质量途径有保障，性能稳定，能够满足严苛工业及消费电子应用的需求。无论是在电源管理、逆变器设计或是电动机驱动控制等领域，这款 MOSFET 都将是您理想的选择。