制造商 | Vishay Siliconix | 系列 | TrenchFET® Gen IV |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40.4A(Ta),165A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.75 毫欧 @ 20A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 250µA |
Vgs(最大值) | ±20V | 功率耗散(最大值) | 6.25W(Ta),104W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
漏源电压(Vdss) | 60V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 83nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3770pF @ 30V | 基本产品编号 | SIR626 |
SIR626ADP-T1-RE3是一款由Vishay Siliconix制造的高性能N通道MOSFET,属于TrenchFET® Gen IV系列。作为面向市场的成熟解决方案,该MOSFET特别适用于需要高效率和高功率处理能力的应用场合。此器件的设计不仅关注于提升导通效率,还兼顾了热管理表现,确保在多种条件下的稳定运行。
SIR626ADP-T1-RE3的设计注重低导通电阻和高电流承载能力,这使其在开关电源、DC-DC转换器和马达驱动应用中表现出色。低Rds(on)意味着在导通状态下的能量损失降低,从而提高系统能效。通过将最大功率耗散提升到104W(在改善热管理的情况下),该MOSFET能够在高功率应用中可靠运行。
此MOSFET广泛应用于多个领域:
SIR626ADP-T1-RE3支持广泛的工作温度范围(-55°C至150°C),这使其能够在苛刻的环境条件下工作。该MOSFET的封装设计为PowerPAK® SO-8,具备良好的散热性能和耐用性,能够适应各种PCB布局和焊接工艺,确保在长期运行中的性能稳定。
SIR626ADP-T1-RE3 MOSFET的优异性能和广泛的应用可能性使其成为现代电子设计中不可或缺的重要器件。其低导通电阻和高电流能力,使得开发工程师在设计电源管理与电机控制系统时,能够轻松实现高效与高可靠性的解决方案。综上所述,对于寻求在电源管理、驱动和开关应用中提供最佳性能的用户,SIR626ADP-T1-RE3是一个值得信赖和推荐的选择。