制造商 | Nexperia USA Inc. | 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.5A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 49 毫欧 @ 3.5A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.7V @ 250µA |
Vgs(最大值) | ±20V | 功率耗散(最大值) | 710mW(Ta),8.3W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | TO-236AB | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
漏源电压(Vdss) | 60V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 13nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 450pF @ 30V |
PMV37ENEAR 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET,专为汽车电子应用设计,并符合 AEC-Q101 认证标准。该元器件梳理了高效能和可靠性特点,适用于各种要求严格的工作环境。其系列化产品能够满足现代汽车电子设备在功率管理及开关控制方面的需求。
PMV37ENEAR 的功率耗散能力出色,可达 710mW(环境温度 Ta)和 8.3W(晶体管接触温度 Tc)。这种高功率处理能力使其适用于密闭的空间环境,且能有效应对过热现象。工作温度范围广泛,从 -55°C 到 175°C,使其在极端条件下也能保持稳定工作,确保汽车电子产品的可靠性。
在不同 Id 和 Vgs 值条件下,该 MOSFET 的栅极电荷(Qg)最大为 13nC(在 10V 时),并且输入电容(Ciss)最大值为 450pF(在 30V 下)。这些参数意味着 PMV37ENEAR 能够快速充电和放电,从而提高开关速度,降低开关损耗,是高频应用的优选组件。
PMV37ENEAR 适用于多种汽车电子应用,包括:
PMV37ENEAR 以其高效能、可靠的电气性能和广范的应用场景,成为汽车行业中极具价值的 MOSFET 解决方案。具备卓越的功率处理能力与耐高温特性,满足,但不仅限于,汽车电子、工业控制和高频开关电源等领域的技术需求。无论是在复杂的汽车电源管理还是在高频率的开关应用中,PMV37ENEAR 都能承担起重要的角色,是设计工程师在组件选型时值得信赖的选择。