MCQ4407B-TP
MCQ4407B-TP参数
| 制造商 | Micro Commercial Co | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，20V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10.5 毫欧 @ 12A，20V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±25V |
| 功率耗散（最大值） | 3.2W（Tj） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154""，3.90mm 宽） | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 29.8nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2050pF @ 15V |
MCQ4407B-TP手册
MCQ4407B-TP概述
产品概述：MCQ4407B-TP P通道MOSFET
一、基本信息
MCQ4407B-TP是由Micro Commercial Co（MCC）制造的一款高性能P通道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用高效的表面贴装型设计，封装为8-SOP（小外形封装），其主要应用于开关电源、负载开关、电机控制及其他需要高效功率管理的电路中。
二、关键特性
电流承载能力：在25°C的工作环境下，MCQ4407B-TP可支持高达12A的连续漏极电流（Id），这使其在各种应用场合具有良好的适应性和可靠性。
耐压特性：器件的漏源电压（Vdss）达到30V，这意味着它能够在较高的电压下稳定工作，适合低至中等电压应用。
导通电阻（Rds(on)）：在12A和20V条件下，该元件的最高导通电阻为10.5毫欧（mΩ）。低Rds(on)值有助于减少功耗，提高电源的整体效率。
驱动电压特性：设备需要4.5V的驱动电压以实现最小的Rds(on)，而在20V的驱动电压下，其性能达到最佳。这对于改善开关特性和提升整体系统性能至关重要。
栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大阈值电压为2.8V（@250µA），确保该器件能够在较低的控制电压下启动，从而使其在低压信号下同样能够可靠工作。
功率耗散：MCQ4407B-TP具有3.2W的最大功率耗散能力，意味着它在长时间工作时能够有效地管理热量，防止过热。
工作温度范围：该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，能在极端环境下稳定工作，因此适合工业应用和汽车电子等需求较为苛刻的领域。
电荷特性：在10V的栅电压下，最大栅极电荷（Qg）为29.8nC，数据表明此器件的开关速度较快，在高频开关应用中表现优异。
输入电容：在15V的漏源电压下，其输入电容（Ciss）为2050pF，较低的输入电容使得该器件适用于高频应用，并能够减少驱动信号的负担。
三、应用领域
MCQ4407B-TP适用于多种电子电路，如：
- 开关电源：在DC-DC转换器和AC-DC适配器中，该MOSFET可作为开关元件进行高效能量管理。
- 负载开关：能够在较低的控制电压下接通或断开负载，广泛用于电源管理电路。
- 电机驱动：在步进电机和直流电机控制应用中，提供可靠的开关控制和高效能量传递。
四、总结
MCQ4407B-TP凭借其优异的电气特性、宽广的工作温度范围和高效的功率管理能力，成为现代电子产品中不可或缺的重要元件。它在确保高导电性的同时，提供低开关损失和高可靠性，是各种电源管理和控制应用的理想选择。选用MCQ4407B-TP可有效提升设备性能，并满足日益增长的电子应用需求。