BAS19LT3G
BAS19LT3G参数
| 二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 120V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 200mA（DC） | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 200mA |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 | 反向恢复时间 (trr) | 50ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 100V | 不同 Vr、F 时电容 | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
BAS19LT3G手册
BAS19LT3G概述
BAS19LT3G 产品概述
BAS19LT3G 是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的标准小信号二极管，设计用于高效的开关应用。它采用一种紧凑的表面贴装封装（SOT-23-3），相较于传统的引脚封装，极大地节省了电路板空间，使其非常适合现代电子设备的设计需求。
主要参数
- 电压 - DC 反向 (Vr): 此产品的最大反向电压可达 120V，适用于在需要较高电压能力的应用中。
- 电流 - 平均整流 (Io): BAS19LT3G的平均整流电流为 200mA（DC），它能够在各种条件下高效工作，满足许多电子设计的需求。
- 正向电压 (Vf): 在 200mA 的工作条件下，正向电压降为 1.25V。较低的正向压降使得其在功耗上表现更加出色，提高了电路的整体效率。
- 速度: 该二极管被归类为小信号二极管，适合于低电流的快速开关应用，最大电流为 200mA，非常灵活，可以在任意速度下运作。
- 反向恢复时间 (trr): 反向恢复时间为 50ns，这意味着在开关信号变化时，该二极管能够快速恢复，减少了开关引起的延迟和能量损耗。
反向泄漏电流和电容值
在不同的反向电压条件下，BAS19LT3G 的反向泄漏电流为 100nA（在 100V 时测量）。这一特性确保了在高电压条件下，二极管仍能保持极低的电流泄漏，进而确保电路的稳定性。
在高频应用中，其电容值为 5pF（在 0V，1MHz 时测量），这使得其在高频开关操作中能够有效降低信号失真，保持良好的电感觉和性能。
驱动温度范围
BAS19LT3G 的工作结温范围涵盖了 -55°C 到 150°C，这使得它适用于各种严酷的工业和环境应用，无论是高温还是极低温环境都能稳定工作。
应用领域
基于以上特性，BAS19LT3G 二极管广泛应用于以下领域：
开关电源: 由于其优良的反向恢复时间和低正向电压降，这款二极管常被用于开关电源模块中，适合在充电、稳定以及保护电路中使用。
信号整流: 在各种小信号整流应用中，BAS19LT3G 能够为低功率电路提供可靠支撑，确保信号的正确整流，保持信号的完整性。
高频应用: 由于其低电容和快速的开关特性，此二极管特别适用于高频信号处理和高速数字电路。
保护电路: 它可以用于过电压和反向连接保护，避免电路受损，延长器件的使用寿命。
封装特点
BAS19LT3G 采用 SOT-23-3（TO-236）封装，体积小且易于表面贴装。这种封装形式具有良好的热性能和电气性能，使得该器件在组装和后续操作中更便于处理。
总结
总之，BAS19LT3G 是一款功能强大、性能稳定的标准小信号二极管，适用于多种现代电子设备和电路的需求。由于其卓越的电压、温度范围和小信号特性，它适合用于高效能的开关电源、小信号整流、保护电路以及高频应用，是众多工程师的优选组件。