IRF7328TRPBF
IRF7328TRPBF参数
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 21 毫欧 @ 8A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 78nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2675pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
IRF7328TRPBF手册
IRF7328TRPBF概述
IRF7328TRPBF 产品概述
一、产品基础信息
IRF7328TRPBF 是一种高性能双 P 沟道 MOSFET（场效应管），由着名半导体制造商英飞凌（Infineon）生产。它具有优良的导通特性和低导通电阻，广泛应用于开关电源、马达驱动、电源管理及其他高频率和高效率的电子设计中。
二、主要参数
FET 类型和功能：IRF7328TRPBF 是通过 2 个 P 沟道 MOSFET 组成，主要设计用于逻辑电平门控制。它的逻辑电平驱动能力使其特别适合用于低电压和低功耗的应用场景。
漏源电压 (Vdss)：该 MOSFET 的最大漏源电压可达到 30V，适用于大多数低压应用。
连续漏极电流 (Id)：在 25°C 环境温度下，这款产品的最大连续漏极电流为 8A。这个指标意味着它能够支持高负载应用，并能在厂家给定的安全参数内稳定工作。
导通电阻 (RDS(on))：在不同 Id 和 Vgs 值条件下，其最大导通电阻为 21 毫欧特性，这一较低的导通电阻能有效降低功耗，提高整体电路效率。
阈值电压 (Vgs(th))：阈值电压最大值为 2.5V（@250µA），确保设备在较低的电压下能够正常开关。
输入电容 (Ciss)：在 25V 条件下，输入电容最大值为 2675pF，这一特性保证了快速开关和响应时间。
栅极电荷 (Qg)：最大栅极电荷为 78nC（@10V），有助于设计更高效的驱动电路，尤其是用于高频率开关应用。
功率及工作温度：IRF7328TRPBF 的最大功率可达到 2W，具有良好的热管理能力，其工作温度范围宽至 -55°C 到 150°C（TJ），确保在极端环境下的稳定性和可靠性。
封装及安装类型：该器件采用表面贴装型 (SMD) 设计，封装为 SO-8，这种封装在现代电子设备中广受欢迎，便于自动化生产，且能节省板上空间。
三、应用领域
IRF7328TRPBF 的特性使其在多种应用场景中表现优异，包括但不限于：
电源管理：作为高效开关的元件，能够有效控制旁路电流和降低功耗。
电动机驱动：能够满足电动机驱动环节的高瞬态电流要求，是电动工具、风扇及其他马达驱动设备的理想选择。
逻辑控制电路：广泛用于数字电路中，尤其是需要逻辑电平操作的场合。
照明控制：在 LED 驱动和控制电路中，IRF7328TRPBF 作为开关元件能够降低能源损耗，提高系统效率。
四、综合评价
IRF7328TRPBF 以其卓越的性能参数和多样的应用潜力，成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。其低导通电阻、高工作温度范围和可靠的电流承载能力使其成为可靠性要求高的应用场景的首选。同时，表面贴装 SO-8 封装为现代电子设备的设计提供了极大的便利，符合小型化和高集成度的趋势。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域，IRF7328TRPBF 都展现出强大的适应性与实用性，是电子工程师的优秀选择。