功率(Pd) | 225mW | 商品分类 | 三极管(BJT) |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 晶体管类型 | NPN |
特征频率(fT) | 100MHz | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 110@2.0mA,5.0V |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA,5.0mA |
集电极截止电流(Icbo) | 5uA | 集电极电流(Ic) | 100mA |
LBC847CLT1G是一款NPN型双极性晶体管(BJT),具有225mW的功耗能力,额定电压为45V,最大集电电流为100mA。该元器件以SOT-23封装形式提供,方便在各种电子电路中实现紧凑、高效的布线。它的特性使其非常适合用于信号放大和开关应用。
LBC847CLT1G的广泛应用涵盖了多个领域,包括但不限于:
SOT-23封装以其小型化、轻量化而受到广泛应用,适合于面向空间和体积要求较高的应用场景。此外,它支持常见的自动贴片装配技术,大幅度提升了生产效率。
尽管LBC847CLT1G具有众多优点,但在某些应用中仍需注意其有限的功率处理能力和集电电流限制。设计师在设计电路时需合理配置负载,以防止元器件因过流或过压而损坏。为此,可以采用限流电阻、保护电路等设计技巧来保护LBC847CLT1G的稳定运行。
LBC847CLT1G是一款兼具高效能和稳定性的NPN型三极管,适合多种电子产品及应用。其优越的放大性能、广泛的应用场景以及小巧的SOT-23封装,都使其成为电子设计师在开发新产品时的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是通信设备中,LBC847CLT1G都将发挥重要作用,助力推动电子技术的持续进步。