MUN2233T1G
MUN2233T1G参数
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 250mV @ 300µA，10mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 功率 - 最大值 | 230mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SC-59 |
MUN2233T1G手册
MUN2233T1G概述
MUN2233T1G 产品概述
一、概述
MUN2233T1G 是一款由安森美(ON Semiconductor)推出的数字晶体管，采用 NPN 预偏压设计，主要应用于小信号开关及放大电路中。该器件具备良好的电流控制性能和频率响应，封装形式为 SC-59，这是表面贴装型(SMD) 封装的一种，广泛应用于各种紧凑型电子设备中。
二、产品规格
- 晶体管类型: NPN - 预偏压
- 最大集电极电流 (Ic): 100mA
- 最大集射极击穿电压 (Vce): 50V
- 基极电阻 (R1): 4.7 kΩ
- 发射极电阻 (R2): 47 kΩ
- DC 电流增益 (hFE): 在 5mA 电流和 10V 的电压下，最小值为 80
- Vce 饱和压降: 在 300µA 的基极电流和 10mA 的集电极电流下，最大值为 250mV
- 最大集电极截止电流: 500nA
- 最大功率: 230mW
- 封装类型: SC-59
- 安装方式: 表面贴装型
三、特性与应用
高效能和小型化: MUN2233T1G 的封装为 SC-59，尺寸小且容易安装，适合现代电子设备的小型化需求。这种设计能有效节约空间，同时提高电路的集成度。
良好的电流增益: 该器件具有较高的 DC 电流增益，尤其适用于低功耗应用场景。其最小 hFE 值为 80，确保在小信号操作时能提供足够的增益，源源不断地驱动负载。
低饱和压降: MUN2233T1G 在小信号开关应用中提供低至 250mV 的饱和压降的表现。这一特点使其在切换状态时几乎不产生额外的功率损耗，提升了电路的整体效率。
广泛的应用场景: 该数字晶体管可以被广泛应用于开关电源、信号放大器、音频放大器、传感器接口等多种电子设备中。其兼容性和高性能使其成为设计师的理想选择。
兼容性强: MUN2233T1G 的电气特性和封装形式使其可以轻松替代传统的线性晶体管，有助于提高产品设计的灵活性和可靠性。
低漏电流: 该器件的集电极截止电流最大为 500nA，尤其适合于低功耗应用，减少了静态功耗和提高了系统的能效。
四、总结
综合以上特性，MUN2233T1G 是一款高效能、低功耗的数字晶体管，非常适合用于需要高密度、低功耗及高效率的电子应用。安森美(ON Semiconductor) 作为显著的半导体制造商，其推出的这款器件以其优越的电气性能和可靠的品质赢得了广大电子工程师的青睐。无论是在消费电子、工业设备、还是其他应用场合，MUN2233T1G 都展示了其优良的适用性和高性价比，是设计师们追求创新和高效设计的理想选择。