制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 在售 | 二极管类型 | 肖特基 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 100 V | 电流 - 平均整流 (Io) | 8A |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 810 mV @ 8 A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
反向恢复时间 (trr) | 19 ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 4 µA @ 100 V |
不同 Vr、F 时电容 | 680pF @ 1V,1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-277,3-PowerDFN | 供应商器件封装 | CFP15B |
工作温度 - 结 | 175°C |
制造商与品牌背景
PMEG100T080ELPE-QZ 是由 Nexperia USA Inc. 生产的高性能肖特基二极管,代表了当前尖端的半导体技术。Nexperia 是一家专注于为汽车、工业、消费和通信市场提供分立半导体产品、逻辑器件和驱动器等解决方案的制造商,凭借其严格的质量标准和创新能力,该品牌在全球电子元件行业中占据了重要地位。
产品特性
二极管类型:该产品是一款肖特基二极管,相比普通二极管,其具有更低的正向电压降和快速的开关特性,使其在低损耗和高效率应用中表现卓越。
额定电压:PMEG100T080ELPE-QZ的最大反向电压(Vr)可达100 V。这使其能够在多种应用场合中有效防止反向电压的损害,特别适合高电压环境。
整流电流:该二极管支持高达8A的平均整流电流(Io),适合高功率的处理需求,减少了大功率应用中的功耗损失。
正向电压:在8A的条件下,器件的正向电压降为810 mV,预示着在大电流应用中的相对低损耗。
快速恢复特性:该二极管具备快速恢复特性,恢复时间(trr)仅为19 ns,适合用于高频开关电源和其他要求高频性能的应用。
反向漏电流:在100 V反向电压下,其反向泄漏电流低至4 µA,这表示在待机状态下的能量损失极低,有助于提高整体电源效率。
电容特性:在1V和1MHz条件下,反向电容为680 pF,提供了良好的频率响应性能。
封装设计
PMEG100T080ELPE-QZ采用SOT-1289-2封装,其表面贴装型(SMT)设计使得装配过程更加简便且便于自动化。该封装的体积小,适合于空间受限的设计,适应现代电子设备对小型化和高集成度的需求。
工作温度
该二极管的结温范围为-55°C至175°C,宽泛的工作温度使其适用于多种苛刻环境,无论是在工业设备、汽车电子还是其他高温应用中,它都能确保稳定性和可靠性。
应用领域
PMEG100T080ELPE-QZ 适用于多种电子设备,有助于提升能量转换效率,具体应用包括但不限于:
结论
综合以上特点,PMEG100T080ELPE-QZ是一款功能全面、性能优越的肖特基二极管,能够满足现代电子产品对高效能、低能耗及高可靠性的严苛要求。在设计高效能电源和其他高电流应用时,选择这一二极管将极大地提高系统的稳定性和功效,帮助实现更高的综合电源管理效果。
作为Nexperia的优质产品,PMEG100T080ELPE-QZ可为各种应用场景提供卓越的性能表现,确保电子系统的高效和可靠。