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IRF4905STRRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
D2PAK
包装 :
-
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 170W 55V 42A 1个P沟道 D2PAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
9.1按整 :
卷(1卷有800个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥9.1
--
100+
￥7.72
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF4905STRRPBF参数
| 制造商 | Infineon Technologies | 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 不適用於新設計 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 42A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 42A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 170W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D2PAK | 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 漏源电压（Vdss） | 55V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 180nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3500pF @ 25V |
IRF4905STRRPBF手册
无数据
IRF4905STRRPBF概述
IRF4905STRRPBF 产品概述
产品基本信息：
- 制造商: Infineon Technologies
- 系列: HEXFET®
- 零件状态: 不适用于新设计
- FET 类型: P 通道 MOSFET
- 封装类型: D2PAK (TO-263-3)
技术参数： IRF4905STRRPBF 是英飞凌（Infineon）出品的一款高性能 P 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），属于其 HEXFET® 系列。该元件具有广泛的应用潜力和高效的电流控制能力，适合于各种低压大电流应用。
电气特性：
- 连续漏极电流 (Id): 42A
- 漏源电压 (Vdss): 55V
- 最大导通电阻 (Rds(on)): 20 mΩ @ 42A，10V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 4V @ 250µA
- 最大功率耗散: 170W @ Tc
- 驱动电压: ±20V
- 工作温度范围: -55°C ~ 175°C
IRF4905STRRPBF 在25°C 时的额定电流为最高42A，确保了在大负载条件下的稳定工作。配备55V的漏源电压，使其非常适合用于需要高电压以及电流控制的应用。
电容特性:
- 输入电容 (Ciss): 最大3500pF @ 25V
- 栅极电荷 (Qg): 最大值为180nC @ 10V
这些特性使得 IRF4905 在开关频率较高的应用中表现良好，能够在不影响电路性能的情况下快速切换状态，从而提高能效。
应用领域： 由于其卓越的电流处理能力，IRF4905STRRPBF 通常用于以下应用：
- 电源转换器：如 DC-DC 转换器、逆变器和电源管理系统。
- 电机驱动：用于各种电动机的控制，如无刷直流电机（BLDC）和伺服电机驱动。
- 电气设备：支持高效的电量供给与控制。
- 电池管理系统：在能源储存系统中发挥关键作用，确保电池的高效利用。
- 开关电源：包括用于各种消费电子产品和工业控制系统中的开关电源。
绝缘和散热特性： IRF4905 设计有优越的散热能力，最大功率耗散为170W，使其能够较好地应对严苛的工作环境。其D2PAK封装允许有效的热管理和 PCB 布局，适合于表面贴装技术(SMT)。
总结： 作为一款高效的 P 通道 MOSFET，IRF4905STRRPBF 提供了杰出的电气性能和广泛的应用潜力，适合于现代电子设备中对高电流和高功率处理能力的需求。无论是在工业还是消费电子领域，IRF4905 都能够为系统设计师提供可靠的解决方案，从而提升整个产品的性能和效率。尽管显示为“不适用于新设计”，但这款 MOSFET 依然是一种验证过的、高可靠性的选择，能够满足多种应用场景。