EMB3T2R

EMB3T2R 产品概述

一、产品简介

EMB3T2R 是由 ROHM Semiconductor 生产的一款高性能数字晶体管，采用 SOT-563 封装，具备双 PNP 预偏置结构。这款元器件主要以其卓越的电流增益、高工作频率和适中的功率处理能力，广泛应用于各种数字电路和模拟电路的开关和放大任务。

二、技术参数

1. 基本参数：

   • 制造商：Rohm Semiconductor
   • 包装：卷带 (TR)
   • 零件状态：有源
   • 晶体管类型：2 个 PNP 预偏置式（双）

2. 电气特性：

   • 最大集电极电流 (Ic)：100 mA
   • 最大集射极击穿电压 (Vce)：50 V
   • 基极电阻 (R1)：4.7 kΩ
   • DC 电流增益 (hFE)：最小 100 @ 1 mA，5 V
   • Vce 饱和压降 (最大值)：300 mV @ 2.5 mA，5 mA
   • 工作频率 (跃迁频率)：250 MHz
   • 功率能力 (最大值)：150 mW

3. 物理特性：

   • 安装类型：表面贴装型
   • 封装类型：SOT-563，SOT-666，供应商器件封装为 EMT6

三、产品特点

• 高电流增益：EMB3T2R 在典型工作条件下具备较高的直流电流增益，这使它在进行放大或开关操作时，能够实现更高的效率和更小的静态功耗。

• 低饱和压降：该晶体管的 Vce 饱和压降极低，最大值为 300mV，在较低的基极电流条件下仍能维持高效开关特性，从而降低了功耗。

• 广泛的应用频率：能承受高达 250 MHz 的工作频率，使其特别适合用于高速数字电路中，如开关电源、射频放大器以及信号调理电路等。

• 优良的过载能力：100 mA 的集电极电流和50 V 的集射极击穿电压提供了良好的过载能力，适合进行大电流和高电压的应用，如工控和汽车电子等领域。

四、应用领域

EMB3T2R 适用于多种应用场合，包括但不限于：

1. 开关电路：在数字电路中，作为开关元件或负载驱动器广泛使用，能够促进低功耗和高效率的应用。

2. 放大电路：在模拟信号处理或音频放大器中，利用其高 hFE 及低饱和压降特性，可以实现有效的信号放大。

3. 信号调理：在数据采集和处理系统中，作为前置放大器使用，能够提高传感器的信号质量并降低噪声。

4. RF 应用：由于其高频特性，该器件可用于 RF 传输和接收模块，助力于无线通信设备的发展。

五、设计注意事项

在设计使用 EMB3T2R 的电路时，需注意以下几点：

• 热管理：即使其最大功率为 150 mW，合理的热设计对器件的长时间稳定运行至关重要，应适当选择 PCB 板材以提高散热性能。

• 电流限制：在实际应用中，建议设计适当的限流电路以防止集电极电流超过 100 mA，保护器件不被烧毁。

• 信号完整性：在高频应用中，保持良好的 PCB 布局，以减少信号丢失和反射，有助于提高系统的整体性能。

六、总结

EMB3T2R 是一款卓越的数字晶体管，凭借其高性能的电气特性、广泛的应用领域以及可靠的工作稳定性，成为设计师在选择开关和放大元件时的重要选择。通过优化电路设计，用户可以充分发挥该器件的各项优势，从而在电子项目中实现更高效的性能和更好的用户体验。