IRF840BPBF

IRF840BPBF 产品概述

基本信息： IRF840BPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（场效应管），由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产，广泛应用于各种高压、高功率的电源控制、开关电源和电子负载等领域。其优异的规格和可靠性，使其成为许多工程师和设计师的首选元件。

技术参数：

• 漏源电压（Vdss）：该器件的漏源电压达到 500V，使其能够在高压环境中稳定工作。
• 连续漏极电流（Id）：在额定的环境温度下，该 MOSFET 支持最高 8.7A 的连续漏极电流（当 Tc = 25°C 时），这使得它可以处理高电流负载。
• 驱动电压：IRF840BPBF 在 10V 下最小 Rds(on)，这有助于降低导通损耗，提高整体效率。
• 导通电阻（Rds(on)）：在 4A 和 10V 的条件下，最大导通电阻为 850 毫欧（200°C 时），意味着在大电流下，器件的热损耗非常低。
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）：在250µA的条件下，Vgs(th) 最大值为 5V，确保了在门极电压上升时可以迅速开启。

电气特性：

• 输入电容（Ciss）：在 100V 的漏源电压下，该器件的输入电容为 527pF，这意味着在快速开关操作时，所需的驱动能力较小。
• 栅极电荷（Qg）：在 10V 的栅极驱动下，最大栅极电荷为 30nC，提供了较好的开关速度和效率。
• 最大功率耗散：该 MOSFET 的最大功率耗散为 156W（在 Tc 条件下），这使其可以在较高功率场合中稳定运作。

温度特性： IRF840BPBF 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，使其适合在极端条件下使用。这一特性使得它在汽车、航空航天和工业自动化等领域得到了广泛应用。

封装及安装： 该器件采用 TO-220AB 封装，便于通孔安装，符合传统的电路设计需求。TO-220 封装不仅提供良好的散热性能，还便于在 PCB 板上进行布局和组装。因此，IRF840BPBF 是设计师在选择功率开关器件时非常值得考虑的选项。

应用场景： 由于其高电流、高电压的能力，IRF840BPBF 广泛应用于以下领域：

1. 开关电源：适用于各种电源转换应用，尤其是在需要高效能和高可靠性的场景。
2. 电动机驱动：在电机控制电路中，作为开关元件使用，提供快速响应和可靠的控制能力。
3. 电池管理系统：在电池充放电控制中，MOSFET 提供精确和高效的开关操作，用于过流保护和高效的能量管理。
4. 逆变器：在可再生能源领域（例如太阳能逆变器）中，MOSFET 可以有效地转换电能，提高系统的整体效率。

总结： IRF840BPBF 是一款具有卓越性能的 N 通道 MOSFET，凭借其高电压承受能力、出色的导通特性以及宽广的工作温度范围，成为了许多高功率、电源应用设计中的理想选择。其可靠的性能和便于安装的封装形式，令其在现代电子设计中具有不可或缺的地位。对于那些寻求在高效和高功率环境中稳健性能的工程师来说，IRF840BPBF 提供了一个理想的解决方案。