KSA1013YTA
KSA1013YTA参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | PNP |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 1.5V @ 50mA，500mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 160 @ 200mA，5V | 频率 - 跃迁 | 50MHz |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线） | 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 160V |
| 功率 - 最大值 | 900mW | 基本产品编号 | KSA1013 |
KSA1013YTA手册
KSA1013YTA概述
KSA1013YTA 产品概述
1. 产品简介
KSA1013YTA 是由知名半导体制造商 ON Semiconductor（安森美）生产的一款高性能 PNP 型 BJT（三极管）。该产品广泛应用于各种电子电路中，包括信号放大和开关控制等场合。凭借其优异的电气特性，KSA1013YTA 是设计工程师在选择三极管时的可靠选择，尤其适用于对电流和电压要求较高的应用。
2. 关键技术参数
KSA1013YTA 的主要技术参数包括：
- 最大集电极电流 (Ic): 1A
- 最大集射极击穿电压 (Vce): 160V
- 功率耗散 (Pd): 900mW
- 直流电流增益 (hFE): 在200mA，5V 条件下，hFE 最低可达 160。
- 最大基极电流 (Ib): 此产品的设计支持较广泛的 Ib 需求。
- 饱和压降 (Vce(sat)): 在不同的 Ic 和 Ib 条件下，最大 Vce 饱和压降为 1.5V（在 50mA 和 500mA 时测得）。
该三极管在可靠性和稳定性方面表现优异，尤其是在集电极截止电流 ICBO 最大值为 1µA，具有良好的漏电性，使得其在低功耗电路中表现出色。
3. 频率特性
KSA1013YTA 的跃迁频率高达 50MHz，表明其在高频应用中也具备良好的性能。这一特性使得 KSA1013YTA 能够用于 RF 设计及其他高频电子设备，如无线通信电路等。
4. 温度范围与封装
该器件的工作温度范围高达 150°C（结温），适合在严苛环境下运行，对于汽车电子、工业控制及其他高温工作条件下的设备尤为合适。KSA1013YTA 的封装类型为 TO-92-3，这种封装方案因其良好的散热性能及便于通孔安装而被广泛采用。
5. 应用领域
KSA1013YTA 的设计涵盖了多种应用场景，包括但不限于：
- 音频放大器: 由于其出色的增益特性，该三极管可用于音频信号的放大和处理。
- 开关电路: 能够处理高达 1A 的电流，适合用作功率开关。
- 射频应用: 高达 50MHz 的频率特性使得其可以应用于 RF 及模拟信号处理。
- 电子开关和继电器控制: 在高压、高电流的环境下，确保稳定的开关控制。
6. 整体优势
KSA1013YTA 的设计将高电流处理能力、良好的电压耐受性、低饱和压降与高频特性结合在一起，成为电子设计师的理想选择。此外，采用 TO-92-3 封装也降低了设计上的复杂性，使得 PCB 布局更为合理和灵活，适合大规模生产。
7. 结论
总之，KSA1013YTA 是一款高性能、用途广泛的 PNP 型三极管，具有优异的电气性能，能够在多种苛刻环境中稳定工作。其卓越的信号放大能力和良好的开关特性使其成为现代电子设计中不可或缺的元件。无论是在新产品开发，还是在现有设备的改进中，工程师们都可以信赖 KSA1013YTA 的性能表现，以满足高性能电子电路的需求。