FDB150N10
FDB150N10参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 57A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15 毫欧 @ 49A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 69nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4760pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D²PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
FDB150N10手册
FDB150N10概述
FDB150N10 产品概述
FDB150N10是一款高性能的N沟道MOSFET，由安森美（ON Semiconductor）公司生产，广泛应用于各种电力电子设备和电源管理系统。其卓越的规格参数使其成为许多需要高电流和高电压的应用理想选择，包括DC-DC转换器、电机驱动、电源供应等领域。
主要技术参数
漏源电压（Vdss）: 该器件的最大漏源电压为100V，使其能够在高电压环境下稳定工作，满足许多工业应用的需求。
连续漏极电流（Id）: 在25°C的环境温度下，FDB150N10可承受高达57A的连续漏极电流（Tc），这意味着在适当的散热条件下，可以实现出色的电流处理能力。
导通电阻（Rds(on）: 对于不同的因素，该MOSFET的导通电阻在最大值为15毫欧（@ 49A，10V），确保在大电流下有极低的功耗损耗，从而提升系统的整体效率。
驱动电压与阈值电压: FDB150N10的驱动电压为10V，这为有效驱动提供了适当的电压水平。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V（@ 250µA），确保在低电压下就可以实现器件的开启，符合大多数逻辑电平驱动的需求。
栅极电荷（Qg）: 该器件的栅极电荷在10V下的最大值为69nC，这表示在频繁开关操作中，驱动电路的功耗非常低，有助于提高开关频率和效率。
输入电容（Ciss）: FDB150N10的输入电容在25V时最大值为4760pF，这对于高速开关应用非常关键，能够降低开关延迟，提升整体响应速度。
功率耗散: 该器件的最大功率耗散为110W（Tc），使其可以承受高功率的使用环境，从而保障设备在高功率应用中的安全性和可靠性。
工作温度范围: FDB150N10的工作温度范围从-55°C到150°C（TJ），使其能够在极端温度条件下可靠工作，适应各种苛刻的工业环境。
封装与安装
FDB150N10采用D²PAK封装（TO-263-3），这种表面贴装型封装具有优秀的散热性能和空间效率，便于在现代紧凑型设计中实现高功率应用。D²PAK封装还具有良好的电气性能和机械强度，适用于高-density的电路设计。
应用场景
电源管理: FDB150N10很适合用于DC-DC转换器、电源供应和其他电源管理应用中，能够高效地处理大电流和高电压。
电机驱动: 由于其高电流处理能力和低导通电阻，该MOSFET可以用作电机驱动电路中的开关元件，帮助实现高效能的电动机控制。
汽车电子: 由于其可靠的性能和宽广的工作温度范围，FDB150N10在汽车电子系统中，如电动助力转向、阻碍车辆动力控制等场合中也有广泛应用。
工业控制: FDB150N10可用于各种工业控制设备，如伺服驱动、自动化设备，确保在恶劣环境下仍能稳定工作。
高频开关电源: 该元件的低输入电容和栅极电荷特性使其非常适合于高频开关电源应用，能够有效提高整体的转换效率。
总结
综上所述，FDB150N10是一款高性能的N沟道MOSFET，其卓越的技术参数使其在电力电子、能源管理及工业应用中都具有广泛的适用性。安森美的这款产品凭借其出色的电流承载能力、低导通电阻以及优秀的热性能，成为设计师和工程师的优选。无论是在电源供应还是电机驱动等领域，FDB150N10都能够提供可靠的性能支持，满足各种苛刻的应用需求。