FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 10 毫欧 @ 18A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 150nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 5875pF @ 20V |
功率耗散(最大值) | 83W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SQJ463EP-T1_GE3 是由知名电子元器件制造商 VISHAY(威世)推出的一款高效能 P 沟道 MOSFET(场效应管),其具备卓越的性能特征和优良的热管理能力,广泛应用于各类开关电源、功率放大器及电机驱动等领域。这款 MOSFET 以其高功率处理能力和低导通电阻,成为现代电力电子设计中不可或缺的元器件。
SQJ463EP-T1_GE3 作为 P 沟道 MOSFET,其主要电气特性参数如下:
漏源电压(Vdss): 该产品能够承受高达 40V 的漏源电压,适用于多种电源电压环境。
连续漏极电流(Id): 在 25°C 条件下,SQJ463EP-T1_GE3 可承受高达 30A 的持续漏极电流,展现出优越的载流能力。
驱动电压: MOSFET 在不同的 Rds On(导通电阻)条件下,最大导通电压为 10V,而最小导通电压为 4.5V,为其驱动电路提供了灵活的适配空间。
导通电阻: 在 10V 驱动电压下,SQJ463EP-T1_GE3 在 18A 的工作条件下,其导通电阻最大为 10毫欧,确保了高效的电能传递,降低了功耗和热量产生。
阈值电压(Vgs(th)): 产品的阈值电压最大为 2.5V(@250μA),适用于低电压控制信号的场合,简化了设计复杂性。
栅极电荷(Qg): 最大栅极电荷为 150nC(@10V),该参数直接影响开关速度和驱动电路的设计,适合高频应用。
输入电容(Ciss): 在 20V 时,输入电容最大为 5875pF,表明在高频率操作时的良好适应性。
功率耗散: SQJ463EP-T1_GE3 最大功率耗散可达 83W(@Tc),适合高功率应用环境。
工作温度范围: 进而,该 MOSFET 的工作温度范围从 -55°C 至 175°C,保证了在极端环境下的稳定运行。
封装类型: 产品采用 PowerPAK® SO-8 封装,适合表面贴装技术(SMT),确保了节省空间和更简便的焊接工艺。
SQJ463EP-T1_GE3 由于其诸多优异性能,广泛应用于以下领域:
开关电源:可以作为高效开关元件,优化电源转换效率及降低热损耗。
电机驱动:在电机控制系统中作为功率开关,提高驱动效率,降低体积和重量。
电力放大器:能够处理较大功率信号,实现高线性度和低失真度的放大效果。
DC-DC 转换器:在高频开关类型的 DC-DC 转换器中发挥关键作用,提高系统的变换效率和响应速度。
汽车电子:由于其耐高温、耐严酷环境的特性,也适用于汽车电源管理和驱动模块。
SQJ463EP-T1_GE3 是一款高效能的 P 沟道 MOSFET,凭借其强大的电气性能和广泛的应用领域,成为电力电子设计中不可或缺的重要元器件。无论是在军事、航天,还是工业自动化及消费电子领域,SQJ463EP-T1_GE3 的出色表现都能够满足现代工程师对性能、效率和可靠性的严格要求。