SQJ463EP-T1_GE3 产品实物图片
SQJ463EP-T1_GE3 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SQJ463EP-T1_GE3

商品编码: BM0213760958
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
PowerPAK® SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 83W 40V 30A 1个P沟道 PowerPAK-SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
7.83
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥7.83
--
100+
¥6.52
--
750+
¥6.05
--
1500+
¥5.75
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SQJ463EP-T1_GE3参数

FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)40V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)10 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)150nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5875pF @ 20V
功率耗散(最大值)83W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装PowerPAK® SO-8
封装/外壳PowerPAK® SO-8

SQJ463EP-T1_GE3手册

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SQJ463EP-T1_GE3概述

SQJ463EP-T1_GE3 产品概述

概述

SQJ463EP-T1_GE3 是由知名电子元器件制造商 VISHAY(威世)推出的一款高效能 P 沟道 MOSFET(场效应管),其具备卓越的性能特征和优良的热管理能力,广泛应用于各类开关电源、功率放大器及电机驱动等领域。这款 MOSFET 以其高功率处理能力和低导通电阻,成为现代电力电子设计中不可或缺的元器件。

关键技术参数

SQJ463EP-T1_GE3 作为 P 沟道 MOSFET,其主要电气特性参数如下:

  • 漏源电压(Vdss): 该产品能够承受高达 40V 的漏源电压,适用于多种电源电压环境。

  • 连续漏极电流(Id): 在 25°C 条件下,SQJ463EP-T1_GE3 可承受高达 30A 的持续漏极电流,展现出优越的载流能力。

  • 驱动电压: MOSFET 在不同的 Rds On(导通电阻)条件下,最大导通电压为 10V,而最小导通电压为 4.5V,为其驱动电路提供了灵活的适配空间。

  • 导通电阻: 在 10V 驱动电压下,SQJ463EP-T1_GE3 在 18A 的工作条件下,其导通电阻最大为 10毫欧,确保了高效的电能传递,降低了功耗和热量产生。

  • 阈值电压(Vgs(th)): 产品的阈值电压最大为 2.5V(@250μA),适用于低电压控制信号的场合,简化了设计复杂性。

  • 栅极电荷(Qg): 最大栅极电荷为 150nC(@10V),该参数直接影响开关速度和驱动电路的设计,适合高频应用。

  • 输入电容(Ciss): 在 20V 时,输入电容最大为 5875pF,表明在高频率操作时的良好适应性。

  • 功率耗散: SQJ463EP-T1_GE3 最大功率耗散可达 83W(@Tc),适合高功率应用环境。

  • 工作温度范围: 进而,该 MOSFET 的工作温度范围从 -55°C 至 175°C,保证了在极端环境下的稳定运行。

  • 封装类型: 产品采用 PowerPAK® SO-8 封装,适合表面贴装技术(SMT),确保了节省空间和更简便的焊接工艺。

应用领域

SQJ463EP-T1_GE3 由于其诸多优异性能,广泛应用于以下领域:

  1. 开关电源:可以作为高效开关元件,优化电源转换效率及降低热损耗。

  2. 电机驱动:在电机控制系统中作为功率开关,提高驱动效率,降低体积和重量。

  3. 电力放大器:能够处理较大功率信号,实现高线性度和低失真度的放大效果。

  4. DC-DC 转换器:在高频开关类型的 DC-DC 转换器中发挥关键作用,提高系统的变换效率和响应速度。

  5. 汽车电子:由于其耐高温、耐严酷环境的特性,也适用于汽车电源管理和驱动模块。

结论

SQJ463EP-T1_GE3 是一款高效能的 P 沟道 MOSFET,凭借其强大的电气性能和广泛的应用领域,成为电力电子设计中不可或缺的重要元器件。无论是在军事、航天,还是工业自动化及消费电子领域,SQJ463EP-T1_GE3 的出色表现都能够满足现代工程师对性能、效率和可靠性的严格要求。