制造商 | Vishay Siliconix | 系列 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
包装 | 卷带(TR) | 零件状态 | 有源 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 26.3 毫欧 @ 4A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
Vgs(最大值) | ±20V | 功率耗散(最大值) | 3W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
漏源电压(Vdss) | 40V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 9.4nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 500pF @ 25V |
SQ2318BES-T1_GE3 是 Vishay Siliconix 生产的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为汽车应用而设计,符合 AEC-Q101 认证。该元器件结合了出色的电气性能和高温操作能力,确保其在严苛的汽车环境下的可靠性与稳定性。下面是该产品的详细性能参数与应用场景的分析。
SQ2318BES-T1_GE3 在多个工作条件下表现出色。其最大Vgs可以达到±20V,确保其在高电压情况下仍能保持良好的工作稳定性。这款 FET 的栅极阈值电压(Vgs(th))最大为 2.5V @ 250µA,允许更低电压的控制信号驱动,同时具备了较低的栅极电荷(Qg)最大值为 9.4nC @ 10V,令其在开关充电和放电响应中具备较高的效率。
在输入电容(Ciss)方面,其最大值为 500pF @ 25V,这使得在频繁切换电路中,SQ2318BES-T1_GE3 能够快速响应,减少开关损耗,提升整体电路的性能。
SQ2318BES-T1_GE3 的设计和性能使其成为众多应用的理想选择,尤其是汽车电子产品。以下是该 MOSFET 适合的主要应用领域:
总的来说,SQ2318BES-T1_GE3 是一款功能强大、适用于高要求操作环境的 N 通道 MOSFET,凭借其卓越的电气特性和兼容性,为汽车电子市场提供了可信赖的解决方案。Vishay Siliconix 为充分满足汽车市场的严格要求而设计的这一产品,不仅能提高系统的整体效率,还有助于实现更安全和更高效的电气设计。在当今高速发展的电子行业背景下,SQ2318BES-T1_GE3 将会是一个非常重要的个体,尤其是在智能交通、新能源、可穿戴设备及IoT等新兴领域中,前景广阔。