SQ2318BES-T1_GE3 产品实物图片
SQ2318BES-T1_GE3 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SQ2318BES-T1_GE3

商品编码: BM0213752806
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3W 40V 8A 1个N沟道 SOT-23(TO-236)
库存 :
20(起订量1,增量1)
批次 :
25+
数量 :
X
2.64
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.64
--
100+
¥2.11
--
750+
¥1.89
--
1500+
¥1.79
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SQ2318BES-T1_GE3参数

制造商Vishay Siliconix系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装卷带(TR)零件状态有源
FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)26.3 毫欧 @ 4A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA
Vgs(最大值)±20V功率耗散(最大值)3W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型表面贴装型
供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
漏源电压(Vdss)40V不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)9.4nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)500pF @ 25V

SQ2318BES-T1_GE3手册

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SQ2318BES-T1_GE3概述

SQ2318BES-T1_GE3 产品概述

SQ2318BES-T1_GE3 是 Vishay Siliconix 生产的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为汽车应用而设计,符合 AEC-Q101 认证。该元器件结合了出色的电气性能和高温操作能力,确保其在严苛的汽车环境下的可靠性与稳定性。下面是该产品的详细性能参数与应用场景的分析。

主要规格

  1. 制造商: Vishay Siliconix
  2. 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  3. 类型: N 通道 MOSFET
  4. 封装: 表面贴装型 SOT-23-3(TO-236)
  5. 工作温度范围: -55°C 至 175°C(TJ),能够满足各种恶劣环境的要求
  6. 电流承载能力: 8A @ 25°C 时连续漏极电流(Id)
  7. 漏源电压(Vdss): 40V,适用于多种电源管理和开关应用
  8. 驱动电压(Vgs): 4.5V 至 10V,能够有效地在不同栅极电压下工作
  9. 导通电阻(Rds(on)): 在 10V 和 4A 下最大导通电阻为 26.3 毫欧,降低功率损耗,提高效率
  10. 功率耗散: 最大功率耗散能力为 3W(Tc),支持高功率应用。

电气特性

SQ2318BES-T1_GE3 在多个工作条件下表现出色。其最大Vgs可以达到±20V,确保其在高电压情况下仍能保持良好的工作稳定性。这款 FET 的栅极阈值电压(Vgs(th))最大为 2.5V @ 250µA,允许更低电压的控制信号驱动,同时具备了较低的栅极电荷(Qg)最大值为 9.4nC @ 10V,令其在开关充电和放电响应中具备较高的效率。

在输入电容(Ciss)方面,其最大值为 500pF @ 25V,这使得在频繁切换电路中,SQ2318BES-T1_GE3 能够快速响应,减少开关损耗,提升整体电路的性能。

应用场景

SQ2318BES-T1_GE3 的设计和性能使其成为众多应用的理想选择,尤其是汽车电子产品。以下是该 MOSFET 适合的主要应用领域:

  • 电源管理:在电源转换电路中,作为高侧或低侧开关,优化转换效率。
  • 电动汽车:用于电动驱动,电池管理系统中,支持高电流和高温环境。
  • 电机控制:在电机驱动电路中,作为开关元件,能够提供快速的响应时间和高效的电流控制。
  • LED 驱动:在 LED 照明系统中作为调光开关,提高能效及控制精度。

结论

总的来说,SQ2318BES-T1_GE3 是一款功能强大、适用于高要求操作环境的 N 通道 MOSFET,凭借其卓越的电气特性和兼容性,为汽车电子市场提供了可信赖的解决方案。Vishay Siliconix 为充分满足汽车市场的严格要求而设计的这一产品,不仅能提高系统的整体效率,还有助于实现更安全和更高效的电气设计。在当今高速发展的电子行业背景下,SQ2318BES-T1_GE3 将会是一个非常重要的个体,尤其是在智能交通、新能源、可穿戴设备及IoT等新兴领域中,前景广阔。