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SQ2351ES-T1_GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
SOT-23-3（TO-236）
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 2W 20V 3.2A 1个P沟道 SOT-23-3
库存 :
14(起订量1,增量1)
批次 :
25+数量 :
X
1.85按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.85
--
100+
￥1.48
--
750+
￥1.32
--
1500+
￥1.24
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SQ2351ES-T1_GE3参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 115 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.5nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 330pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SQ2351ES-T1_GE3手册
无数据
SQ2351ES-T1_GE3概述
SQ2351ES-T1_GE3 产品概述
产品简介
SQ2351ES-T1_GE3是由VISHAY（威世）公司生产的一款高性能P沟道MOSFET。这款场效应管专为低电压、高电流应用而设计，具备卓越的电气特性，适应各种电子电路中关键的开关和线性放大用途。其封装类型为SOT-23-3（TO-236），适合表面贴装，方便与现代电子设备集成。
关键参数
- FET类型：P通道MOSFET，适合用于高侧开关电路。
- 漏源电压（Vdss）：最大20V，使其适合用于低电压的针对性应用。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C条件下最大值为3.2A（Tc），可以满足大多数电源电路的要求。
- 导通电阻（Rds(on)）：在4.5V Vgs条件下，最大导通电阻为115毫欧（@2.4A、4.5V），保证了有效的电流传输，降低能量损耗。
- 栅极电压阈值（Vgs(th)）：最大阈值为1.5V（@250µA），使得MOSFET可以在更低的栅极驱动电压下工作，提升整体效率。
- 栅极电荷（Qg）：最大值为5.5nC（@4.5V），反映出开关速度快，有助于降低开关损失。
- 工作温度：设备的工作温度范围为-55°C到175°C（TJ），能够在极端环境下稳定运行，适合高温恶劣条件下的应用。
- 功率耗散：最大功率耗散为2W，确保器件在高负载下的安全性。
- 输入电容（Ciss）：最大输入电容为330pF（@10V），重要的频率特性指标，有利于器件的高频应用。
封装与安装类型
SQ2351ES-T1_GE3采用SOT-23-3（TO-236）封装，尺寸小巧，适合高密度电路设计。该表面贴装型设计有助于简化生产流程，提升自动化组装的效率。封装的散热性能良好，有效地降低了在高功率应用中的温升。
应用领域
得益于其出色的电气特性，SQ2351ES-T1_GE3 MOSFET广泛应用于多种领域，包括但不限于：
- 电源管理：适用于DC-DC转换器、电压调节器和电源开关等应用。
- LED驱动电路：高效驱动LED照明，确保亮度稳定，并降低能耗。
- 电机控制：在电机驱动和控制模块中作为开关元件，提高效率，延长电机使用寿命。
- 汽车电子：适用于汽车电源管理系统，满足高温和高负载的需求。
总结
VISHAY的SQ2351ES-T1_GE3是一款性能卓越的P沟道MOSFET，凭借其优越的电流承载能力、低导通电阻和优异的热稳定性，满足现代电子设备日益提高的效率和可靠性要求。无论是用于消费电子、工业设备，还是汽车电子，这款MOSFET都可作为可靠的选择，为客户提供强大的支持。