SQ2398ES-T1_BE3
SQ2398ES-T1_BE3参数
| 制造商 | Vishay Siliconix | 系列 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.6A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 300 毫欧 @ 1.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 2W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.4nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 152pF @ 50V |
SQ2398ES-T1_BE3手册
SQ2398ES-T1_BE3概述
产品概述：Vishay SQ2398ES-T1_BE3 N 通道 MOSFET
Vishay SQ2398ES-T1_BE3 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），专为汽车电子应用设计，符合 AEC-Q101 质量标准。这款 MOSFET 采用了创新的 TrenchFET® 技术，能够在高温和高电压环境下提供卓越的性能。其独特的设计和优异的电气特性使其在各类汽车和工业应用中表现出色。
关键规格与特点
电流与功率处理能力：SQ2398ES-T1_BE3 的连续漏极电流（Id）为 1.6A，具有可靠的功率处理能力，最大功率耗散可以达到 2W（在 Tc 条件下）。这使得该 MOSFET 可以在高负载条件下稳定工作，适合电源控制和电机驱动等领域。
高工作温度范围：该器件支持 -55°C 至 175°C 的广泛工作温度范围，确保在极端环境条件下仍能可靠运行，特别适合汽车领域中高温和低温的应用场景，例如引擎控制单元和智能驾驶系统。
低导通电阻：在 10V 驱动电压与 1.5A 的条件下，该 MOSFET 的最大导通电阻（Rds(on)）仅为 300 毫欧。这一特性不仅提高了效率，还减少了能耗，使得该组件极为适合用于要求高效电源转换的应用。
高耐压能力：SQ2398ES-T1_BE3 的漏源电压（Vdss）最高可达 100V，使其能够适应多种高电压应用。此外，其最大栅极电压（Vgs）可承受 ±20V，使得在多种外围电路条件下都能安全工作。
应用领域
Vishay SQ2398ES-T1_BE3 的设计使其适用于多种汽车及工业应用，包括但不限于：
电源管理：在 DC-DC 转换器中，可以作为开关元件提升转换效率，广泛应用于电池供电系统和电动汽车。
电机控制：适合用于高效电机驱动应用，尤其是在电动汽车和混合动力汽车的驱动控制模块中。
LED 驱动：用于 LED 照明系统的驱动电路中，能够在高频率下提供稳定的电流。
电子调节器：例如，汽车中的电子转向助力系统（EPS）和制动系统以提高安全性和稳定性。
机械与封装特性
SQ2398ES-T1_BE3 采用表面贴装型封装，型号为 SOT-23-3 (TO-236)，具有良好的热管理性能和小巧的体积，使得其非常适合于空间受限的应用。《外壳尺寸小，安装简单，便于自动化生产。
总结
Vishay SQ2398ES-T1_BE3 是一款结合了低导通电阻、高耐压及广泛操作温度的创新型 N 通道 MOSFET，非常适合在严苛环境下的高效能应用。其卓越的电气属性与可靠的工作性能，确保了在汽车和其他工业领域中的广泛应用。作为一款专业级元件，它不仅符合现代电子产品对高性能和高可靠性的需求，同时也为客户提供了可观的设计灵活性和系统集成便利性。对于需要高效率和稳健性能的设计师来说，SQ2398ES-T1_BE3 无疑是一个理想选择。