SQ3418AEEV-T1_GE3
SQ3418AEEV-T1_GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 35 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 370pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 4W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
SQ3418AEEV-T1_GE3手册
SQ3418AEEV-T1_GE3概述
SQ3418AEEV-T1_GE3 产品概述
产品名称：SQ3418AEEV-T1_GE3
品牌：VISHAY（威世）
封装类型：TSOP-6
类别：N通道MOSFET
一、产品概述
SQ3418AEEV-T1_GE3是一款高效能的N通道MOSFET，专为汽车应用设计，符合AEC-Q101认证，确保其在高温、高压及恶劣工作环境下的可靠性。其额定漏源电压为30V以及持续漏极电流为7.8A，使其在多种电力管理系统和驱动电路中表现出色。由于其低导通电阻和快速开关性能，SQ3418AEEV-T1_GE3特别适用于电源转换、电动机驱动、LED驱动及其他需要高开关频率的应用场合。
二、关键参数
FET类型：N通道
技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
漏源电压 (Vdss)：30V
连续漏极电流 (Id)：7.8A（在25°C时的结温）
驱动电压 (Vgs)：支持4.5V与10V的栅极驱动电压，确保在不同应用中能够为用户提供灵活的驱动选择。
导通电阻 (Rds(on))：在10V Vgs下，导通电阻最大为35毫欧，这在高效能应用中极为重要，可以帮助降低功耗和热量产生。
阈值电压 (Vgs(th))：最大为2.5V，250µA下。这一参数能够确保MOSFET在较低的栅极电压下便可导通，有助于优化电路设计，提高系统性能。
栅极电荷 (Qg)：在10V下最大为10nC，快速的栅极电荷使得器件在开关频率较高的应用中表现稳定，从而减少开关损耗。
输入电容 (Ciss)：最大370pF（在15V时），低输入电容帮助提高驱动速度，对于高频率信号特别有效。
功率耗散：最大为4W，这意味着该设备能够在较高功率范围内安全可靠地运作。
工作温度范围：-55°C至175°C的宽温范围，适合在极端温度条件下工作，是汽车及工业应用中的理想选择。
三、应用场景
SQ3418AEEV-T1_GE3主要应用于以下领域：
汽车电子：尤其适用于电动汽车中的电动机驱动、动力转换系统以及LED照明控制。
电源管理：在DC-DC转换器、开关电源及线性电源中，作为开关元件来控制能量的转换效率。
电动工具及设备：由于其高效率、低导通电阻特性，非常适合使用在电动工具和各类电动设备中，实现优化功耗和提升性能。
消费电子：广泛用于手机、平板等便携设备的电源管理电路。
四、总结
SQ3418AEEV-T1_GE3是一款设计精良、性能卓越的N通道MOSFET。凭借其低仍加电阻、优越的控制特性和宽工作环境温度，该产品为需要高效电源控制的各种应用提供了理想的解决方案。无论是在汽车、工业还是消费电子市场，SQ3418AEEV-T1_GE3都能够凭借其高可靠性与性能优势，满足现代电子产品对小型化、高效能的不断追求。选择VISHAY的SQ3418AEEV-T1_GE3，意味着为您的设计增添一份稳定性与信赖度。