SQ4920EY-T1_BE3
SQ4920EY-T1_BE3参数
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1465pF @ 15V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 30nC @ 10V |
| FET 功能 | 标准 | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 功率 - 最大值 | 4.4W（Tc） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14.5 毫欧 @ 6A，10V |
SQ4920EY-T1_BE3手册
SQ4920EY-T1_BE3概述
SQ4920EY-T1_BE3 产品概述
SQ4920EY-T1_BE3 是由威世（VISHAY）制造的一款高性能场效应管（MOSFET），该产品采用 SOIC-8 表面贴装型封装，设计上针对多种应用场景，提供了卓越的电气性能及良好的散热性能，非常适合于高效能和高可靠性的电子电路中使用。
主要规格
该MOSFET 具有双 N 通道结构，提供了可达 30V 的漏源电压（Vdss），适用于各种中低压开关电源和电机驱动应用。其连续漏极电流（Id）最大可达 8A（在25°C的环境温度下），使其在为电路提供功率时具备极佳的负载承受能力。此器件的最大功率消耗能力为 4.4W，能够满足高负载运作时的需求。
电气特性
在不同的 Vds 条件下，输入电容（Ciss）的最大值为 1465pF（在 15V 下测得），这意味着该器件在开关时引入的负载小，从而对驱动电路的负担较轻，适合于高速开关特性需求的应用。从栅极到源极的阈值电压（Vgs(th)）也保持在 2.5V（在 250µA 下测得），确保能在低于典型逻辑水平的电压下开启，有利于直接和数字电路接口。
导通电阻（Rds(on)）在 10V 驱动下，最大值为 14.5 毫欧（在 6A 时测得），这一性能指标表明该器件在导通状态下的能量损耗非常小，有助于提高系统的整体能效。这一特性使得 SQ4920EY-T1_BE3 成为节能设计的理想选择。
在栅极电荷（Qg）方面，具有最大值 30nC（在 10V 的 Vgs 下），这意味着开关操作所需的驱动能量较小，有助于提高开关频率，降低热损失，为高频应用提供了可能。
工作温度与环境适应性
SQ4920EY-T1_BE3 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C（TJ），这使得该器件能够在极端环境下可靠运行，特别适合于航空航天、汽车电子及工业控制等对温度要求严格的领域。
应用场景
考虑到其优异的电气特性，SQ4920EY-T1_BE3 可以广泛应用于：
开关电源：由于其低 Rds(on) 和高 Vdss 特性，可以有效提升开关电源的效率。
电机驱动：在电机控制中，能够处理较大电流并承受一定电压，为电机实现高效驱动提供保障。
信号转换：在数字逻辑电路中，可用作开关元件，进行低功耗信号转换。
LED 驱动：在 LED 照明领域，SQ4920EY-T1_BE3 由于其低驱动电压可以有效提升 LED 驱动电路效率。
结论
综上所述，SQ4920EY-T1_BE3 是一个高效性能、高可靠性的 MOSFET 解决方案。其适用的广泛电压和电流范围，加上可在极端温度下稳定工作，使其在现代电子设计中成为一个理想的选择。该产品不仅限于上述应用领域，其多功能性和高性价比使其在电子工程师的产品设计中表现出色。选择 SQ4920EY-T1_BE3，将为您的设计带来更高的性能和可靠性。