SQJ500AEP-T1_BE3
SQJ500AEP-T1_BE3参数
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1843pF @ 20V，1628pF @ 20V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 38.3nC @ 10V，45nC @ 10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | FET 功能 | 标准 |
| 安装类型 | 表面贴装型 | FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA，2.5V @ 250µA | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.2 毫欧 @ 9.8A，10V，27 毫欧 @ 6A，10V |
| 功率 - 最大值 | 48W（Tc） |
SQJ500AEP-T1_BE3手册
SQJ500AEP-T1_BE3概述
SQJ500AEP-T1_BE3 产品概述
一、产品简介
SQJ500AEP-T1_BE3 是一款高性能的场效应管（MOSFET），由 VISHAY（威世）制造，其设计旨在满足各种现代电子设备的需求。该产品集成了 N 型和 P 型沟道的FET，在同一封装中提供了出色的电气性能和热管理能力，适用于电源管理、马达驱动、开关电源及其他高频应用场合。
二、基本参数
漏源电压（Vdss）：该产品的漏源电压额定值为40V，这使其适用于多种中低电压应用场合。
连续漏极电流（Id）：SQJ500AEP-T1_BE3 的连续漏极电流额定值高达30A（在Tc条件下），适合高负载的应用需求。
输入电容（Ciss）：在不同的Vds状态下，输入电容（Ciss）最大值分别为1843pF（20V）和1628pF（20V），保证了传输信号的有效性和速度。
栅极电荷（Qg）：根据不同的栅源电压（Vgs），栅极电荷的最大值为38.3nC（在10V时）和45nC（在10V时），这使得开关速度快且高效。
工作温度范围：SQJ500AEP-T1_BE3 的工作温度范围为-55°C 至 175°C，适合高温和极端环境下的工作，广泛应用于汽车、工业控制和航空航天等领域。
导通电阻（Rds(on)）：在不同 Id 和 Vgs 下，导通电阻最大值为9.2mΩ（9.8A，10V）和27mΩ（6A，10V），这确保了低功耗和高效率的电流传输。
功率额定值：功率最大值额定为48W（在Tc条件下），适应高压大功率应用需求。
三、封装与安装
SQJ500AEP-T1_BE3 使用的是 PowerPAK-SO-8-4 封装，该封装设计使得MOSFET具备良好的热性能和电气性质。表面贴装型的设计方便了自动化产线的安装，提高了生产效率。
四、应用领域
SQJ500AEP-T1_BE3 适用于广泛的应用场合，包括但不限于：
电源管理：用于高效开关电源（SMPS）和各种电源控制电路，确保低损耗和高度集成。
马达驱动：在电动机驱动、机器人技术和工业自动化中提供高效的驱动解决方案。
汽车电子：适用于电动车和混动车辆中的电源管理和系统控制单元，因其出色的温度耐受性和性能。
消费电子：在各类便携式设备和家电中应用，以提升能效和延长电池寿命。
五、总结
SQJ500AEP-T1_BE3 是一款优秀的MOSFET，凭借其高电流、高效率和宽温工作范围，成为了许多高性能电子产品的理想选择。VISHAY 为市场提供了可靠的解决方案，能够满足不断变化的电子领域需求。无论是在设计、性能，还是在应用上，该产品都展现出了出色的特性，为工程师们提供了创新的可能性。