SQS415ENW-T1_GE3
SQS415ENW-T1_GE3参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16.1 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 82nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4825pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 62.5W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8W |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8W |
SQS415ENW-T1_GE3手册
SQS415ENW-T1_GE3概述
产品概述：SQS415ENW-T1_GE3
一、基本信息
SQS415ENW-T1_GE3 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，由知名电子元器件供应商威世（VISHAY）生产。该器件在 PowerPAK® 1212-8W 封装中，具有极高的功率处理能力、较低的导通电阻以及宽广的工作温度范围。这使得 SQS415ENW-T1_GE3 成为各种高效能、节能应用中理想的选择。
二、核心参数
FET 类型：P 通道，适用于负电压驱动和反向电流应用。
技术：MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），该技术确保了快速开关速度和低导通损耗，是现代电源管理和开关电路中常用的器件。
电压和电流：
- 漏源电压（Vdss）：最大可承受电压为 40V。
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C 时的最大电流为 16A（Tc），使其适合高电流应用。
导通电阻（Rds(on)）：在 10V 驱动下，最大导通电阻为 16.1 毫欧（12A 流经时）。这意味着在高负载时，本器件将产生较低的功耗。
阈值电压（Vgs(th)）：最大阈值电压为 2.5V，这在选择驱动电压时提供了更大的灵活性。
栅极电荷（Qg）：栅极电荷最大值为 82nC，在 10V 驱动下，较小的栅极电荷意味着在高频应用中更高的开关效率。
工作温度范围：-55°C ~ 175°C，确保其在极端环境下也能保持良好的性能和稳定性。
功率耗散（Pd）：最大功率耗散为 62.5W，表示其能够在高功率条件下工作而不损坏。
三、应用场景
SQS415ENW-T1_GE3 的高导通能力和宽电压应用范围使其特别适用于以下场景：
电源管理：主要用于开关电源、DC-DC 转换器及其他电源供应链中，提升能效与降低累计热量。
电机驱动：在电动机控制及驱动系统中，能有效降低功耗并提高整体效率。
电池管理系统：用于电池保护和充放电控制等应用，提升电池的使用寿命与安全性。
汽车电子：在车辆的功率分配与管理中，可以有效保障电气安全及高效运行。
工业应用：在各类工业控制系统，尤其是对电流要求较高的系统中，确保设备安全与高效。
四、封装与安装
SQS415ENW-T1_GE3 采用 PowerPAK® 1212-8W 封装，该封装设计注重于热性能和小型化，使得在空间紧凑的电路中仍能够提供优异的散热能力。同时，表面贴装型的设计使得安装更为简便，适配多种自动化生产线。
五、总结
综上所述，SQS415ENW-T1_GE3 是一款高效能 P 通道 MOSFET，适合于多种高电流和高功率的应用。凭借其低导通电阻、宽工作温度范围及强大的功率处理能力，满足球较高能效要求的电子应用。随着电子技术的不断进步，这种器件不仅可以帮助系统设计者降低能耗，还能在更复杂的应用中提供出色的性能，值得信赖与选择。