功率(Pd) | 79W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 20pF@20V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.2mΩ@10V,50A |
工作温度 | -55℃~+175℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 28nC |
漏源电压(Vdss) | 40V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.9nF@20V | 连续漏极电流(Id) | 100A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.3V@250uA |
产品概述:
BSC022N04LS6 是由英飞凌(Infineon)公司生产的一款场效应管(MOSFET),其封装形式为 TDSON-8-EP (5x6),是一种高效能的功率MOSFET,专为各种电源管理应用设计。这款MOSFET具有较低的导通电阻及快速的开关特性,使其在高频和高效能的电源转换场合中表现出色。
主要特点:
低导通电阻: BSC022N04LS6 的导通电阻(R_DS(on))非常低,这使得它在通电通过时的功耗表现极为优异,显著降低了热损耗。这一特性使得该产品特别适合用于高电流的应用,如 DC-DC 转换器和直流电机驱动器。
高开关频率: 此 MOSFET 支持高开关频率,适用于高效能开关电源和电源管理应用。其快速的开关特性允许设计人员在电路中实现高效率和紧凑的设计,从而节约空间和成本。
低栅极电荷(Q_g): 该产品具有低栅极电荷的特性,减少了在驱动过程中所需的能量。这使得 BSC022N04LS6 在硬件设计中更加灵活,适合与各种驱动电路完全兼容。
良好的热性能: BSC022N04LS6 的封装设计优化了热性能,提供了更大的散热面积。这一特点使得该元件在高电流或长时间运行的应用环境下,能够维持较低的工作温度,延长总体系统的使用寿命。
高耐压: 该 MOSFET 具有不错的耐压能力,能够在一定的电压范围内稳定工作,适合用于各种电压等级的电源转换场合。
应用领域:
BSC022N04LS6 的广泛应用场合使其成为工程师在设计过程中非常关注的元件之一,主要包括:
DC-DC 转换器:在电源管理应用中,BSC022N04LS6 可用于 buck(降压)和 boost(升压)转换器,提升整体效率并减少功耗。
电机控制:该 MOSFET 可用于直流电机和无刷电机的驱动,提供强大的开关能力与高效的电流控制。
开关电源:在各种开关电源应用当中,由于其低导通电阻与高频操作性能,BSC022N04LS6 可以实现优良的性能表现。
续航电池管理:在电池管理和充电电路中使用,能够有效提升能量转换的效率,延长电池的使用寿命。
总结:
作为一款由英飞凌(Infineon)打造的高性能场效应管,BSC022N04LS6 凭借其低导通电阻、高开关频率、优良的热性能及广泛的应用前景,已在各类电子设备中获得了诸多应用。选择 BSC022N04LS6 的设计师可以获得不仅是元器件的性能保证,更是产品整体质量的提升。无论是在工业、消费电子,还是在汽车和可再生能源领域,这款MOSFET都将发挥重要的作用,助力技术的进步和设计的创新。