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SQ3427EV-T1_BE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TSOP-6
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 5W 60V 5.3A 1个P沟道 TSOP-6
库存 :
20(起订量1,增量1)
批次 :
25+数量 :
X
2.96按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.96
--
100+
￥2.36
--
750+
￥2.11
--
1500+
￥1.99
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SQ3427EV-T1_BE3参数
| 制造商 | Vishay Siliconix | 系列 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.3A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 95 毫欧 @ 4.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1000pF @ 30V |
SQ3427EV-T1_BE3手册
无数据
SQ3427EV-T1_BE3概述
产品概述：SQ3427EV-T1_BE3
一、基本信息
SQ3427EV-T1_BE3是由威世半导体（Vishay Siliconix）制造的一款高性能P通道MOSFET，属于其汽车级（AEC-Q101）TrenchFET®系列。这款MOSFET采用了TSOP-6封装，表面贴装类型设计，适用于对空间和性能要求较高的现代电子设备。
二、主要参数
- 类型：P通道MOSFET
- 电流容量：能够承受的连续漏极电流（Id）达到5.3A（在封装温度Tc下）
- 电压范围：漏源电压（Vdss）最大可承受60V
- 栅极电压：栅极至源极的最大电压为±20V
- 导通电阻：在4.5A、10V的最大导通电阻为95毫欧，非常适合高效能电源管理
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为2.5V（在250µA下测试），适合低电压驱动应用
- 功率耗散：最大功率耗散能力为5W（在Tc下）
三、工作环境
SQ3427EV-T1_BE3的工作温度范围从-55°C到175°C（TJ），使其能够在极端环境下持续运行，尤其适用于汽车电子产品和其他严苛工作环境的应用。这一广泛的温度范围确保了其在恶劣条件下的可靠性与稳定性。
四、电气特性
- 输入电容（Ciss）：在30V下最大输入电容为1000pF，表明该MOSFET在高速开关应用中具有较低的输入驱动要求
- 栅极电荷（Qg）：在10V下的最大栅极电荷为22nC，反映了其在开关操作中的良好响应特性。
五、应用领域
SQ3427EV-T1_BE3非常适合应用于：
- 汽车电子，如电动机控制、开关电源、LED驱动等
- 高效电源管理和节能应用，满足现代电子系统对能效和性能的严格要求
- 工业自动化设备及电源模块，凭借其高可靠性和长寿命，深受用户青睐
- 消费电子产品，尤其是在狭小空间内需要高电流和低热量散发的场合
六、封装与安装
这一MOSFET采用TSOP-6（SOT-23-6细型）封装，适合表面贴装（SMD）技术，使得在小型电路板中的布局更加灵活。其引脚排列和尺寸满足各种自动化组装要求，缩短了生产时间。
七、总结
SQ3427EV-T1_BE3是一款在特定应用中表现优异的P通道MOSFET，其优秀的电气特性和广泛的工作温度范围，使其成为众多设计工程师的优选组件。无论是在汽车电子、工业设备还是消费电子领域，这款MOSFET都能提供可靠、高效的性能。选择SQ3427EV-T1_BE3，不仅能满足高功率需求，还能在保证能效的同时，提升系统的整体可靠性。