CSD17581Q5A
CSD17581Q5A参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 24A（Ta），123A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.4 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.7V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 54nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3640pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta）, 83W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 155°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-VSONP（5x6） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
CSD17581Q5A手册
CSD17581Q5A概述
产品概述：CSD17581Q5A N通道MOSFET
CSD17581Q5A是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款高性能N通道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）。该器件设计用于高效率的开关应用，适合用于电源管理、DC-DC转换器、马达控制、高频类负载及其它需要较高电压和电流处理能力的场合。其优化的电气特性和适应性较广的工作条件使其成为现代电子设计中的理想选择。
核心参数
漏源电压（Vdss）: CSD17581Q5A具有30V的额定漏源电压，能够满足大多数低到中等电压应用的需求，提供了相对宽广的工作范围。
连续漏极电流（Id）: 在环境温度为25°C时，CSD17581Q5A可以承受高达24A的连续漏极电流，而在适当的冷却条件下，最大可达到123A的漏极电流。这种高电流能力使其能够处理负载变化较大的应用。
驱动电压: 其最大Rds(on)能在4.5V的驱动电压下实现，此外，在10V的Vgs驱动下，导通电阻为3.4 毫欧（@16A），确保了低的导通损耗与更好的热管理性能。
输入电容（Ciss）: CSD17581Q5A的输入电容最大值为3640pF（@15V），这意味着在高频应用中，该器件具有较低的开关损耗，有助于提高整体效率。
功率耗散能力: 器件的功率耗散最大值为3.1W，若在合理的冷却条件下（例如在散热片上），则可达到83W。这种设计允许在较高的工作负载条件下工作。
工作温度范围: CSD17581Q5A能够在-55°C至155°C的温度范围内正常工作，非常适合环境变化较大的工业或汽车应用。
封装与安装类型: 该器件采用8-VSONP（5x6）表面贴装型封装，紧凑的结构使得其在空间受限的电路中也能被有效利用。
应用领域
CSD17581Q5A可以广泛应用于以下领域：
电源管理: 由于其高效能和稳定性，可用于开关电源、DC-DC转换器等电源管理应用，能有效提升电源转换效率。
马达控制: 在电动机驱动控制系统中，这种MOSFET能够承担高电流的负载，提供精确的控制能力。
高频类负载: 低导通电阻和输入电容使得该MOSFET适合用于RF和高频应用，从而降低控制信号的延迟并提高工作效率。
汽车电子: 由于其宽广的工作温度范围及高可靠性，适合汽车行业追求的长期稳定工作条件，尤其是在电动汽车和混合动力汽车中的动力管理。
总结
CSD17581Q5A是一个兼具高性能和广泛应用场景的N通道MOSFET，凭借其卓越的电气特性、极低的导通电阻及高效率的功率处理能力，成为工程师在设计电源管理和高负载应用时的理想选择。它不仅可以满足现代电子产品对小型化、高效能的需求，也为各种电力电子应用提供了强大的支持。