STP50N60DM6
STP50N60DM6参数
| 制造商 | STMicroelectronics | 系列 | MDmesh™ DM6 |
| 包装 | 管件 | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 36A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 80 毫欧 @ 18A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.75V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±25V | 功率耗散（最大值） | 250W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 55nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2350pF @ 100V |
STP50N60DM6手册
STP50N60DM6概述
STP50N60DM6 产品概述
概要
STP50N60DM6是STMicroelectronics推出的一款高性能N沟道MOSFET，属于MDmesh™ DM6系列。这款MOSFET以其高电压承受能力、低导通电阻和卓越的热稳定性，广泛应用于电源管理、逆变器、电机驱动和其他需要高效率和低功耗的电路设计中。
主要特性
电压和电流能力：STP50N60DM6具备高达600V的漏源电压（Vdss）和最高36A的连续漏极电流（Id），确保在高电压应用场合中的可靠性和稳定性。这使得设备能够适应多种高压操作环境，満足不同的设计需求。
低导通电阻：在10V的栅源电压（Vgs）下，STP50N60DM6的最大导通电阻（Rds(on)）可低至80毫欧（在18A电流下），这在实际应用中能够显著减少能量损耗，提高系统效率。
宽工作温度范围：该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C，允许其在极端环境条件下稳定工作，适合严格的工业和汽车应用。
优异的散热性能：STP50N60DM6的最大功率耗散可达到250W，这对于需要高功率输出的应用而言至关重要，确保能够有效地处理产生的热量，在高负载情况下保持装置的性能和可靠性。
电气特性
栅极阈值电压（Vgs(th)）：该器件在250µA下的最大阈值电压为4.75V，较低的阈值电压使得其能够在较低的栅压下开启，提升系统的兼容性和灵活性。
栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）：STP50N60DM6在10V下的栅极电荷为55nC，输入电容（Ciss）在100V时最大为2350pF。这些特性意味着该器件可以快速响应，有助于提高开关频率并降低开关损耗。
封装及安装
STP50N60DM6采用TO-220封装，便于散热设计及通孔安装，使其在PCB布局中更具灵活性。TO-220封装提供了良好的热传导，使得设备在高功率应用中能够有效散热。
应用领域
STP50N60DM6因其高电压和高电流能力结合低导通电阻的特点，广泛应用于以下领域：
- 开关电源（SMPS）：在开关电源中作为主开关器件，帮助提高能量转换效率。
- 电机驱动：在高效率电机驱动电路中作为控制器，应用于电动汽车、机器人等。
- 逆变器：用于光伏逆变器和其他类型的逆变器，确保高效的能量转换。
- 高压电源管理：针对高压电源的控制和管理，提供更好的性能及可靠性。
结论
STP50N60DM6是一款兼具高电压、高电流能力与低导通电阻的N沟道MOSFET，适合多领域应用，特别是对能效和稳定性要求较高的电子设计。这款器件在现代的电源管理和电动机控制中发挥着重要的作用，为多种应用提供可靠的解决方案。选择STP50N60DM6，可以帮助工程师提升设计的性能和效率，满足当前严苛的市场需求。